[发明专利]表面粗化的发光二极管芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种表面粗化的发光二极管芯片，包括：

衬底，形成于衬底正面的n型半导体层；

形成于n型半导体层上的发光层；

形成于发光层上的p型半导体层；

在n型半导体层上通过刻蚀形成的负电极焊线区；

在p型半导体层形成的正电极金属层以及在负电极焊线区上形成的负电极金属层；

其特征在于：在衬底的正面、背面以及在负电极金属层与发光层和p型半导体层之间形成的局部负电极焊线区设置有锥状的光学微结构。

2.根据权利要求1所述的表面粗化的发光二极管芯片，其特征在于：在所述p型半导体层上还形成有电流扩散层。

3.根据权利要求2所述的表面粗化的发光二极管芯片，其特征在于：在所述电流扩散层表面设置有锥状的光学微结构。

4.根据权利要求1或2或3所述的表面粗化的发光二极管芯片，其特征在于：所述锥状体的高度为0.5～5μm，底部直径为2～10μm。

5.根据权利要求4所述的表面粗化的发光二极管芯片，其特征在于：所述锥状体的高度为1.5～4μm，底部直径为4～8μm。

6.根据权利要求1或2或3所述的表面粗化的发光二极管芯片，其特征在于：所述正电极金属层形成的图形线条至负电极金属层形成的图形线条距离相等。

7.根据权利要求6所述的表面粗化的发光二极管芯片，其特征在于：所述正、负电极金属层的厚度为1～5μm。

8.根据权利要求7所述的表面粗化的发光二极管芯片，其特征在于：正、负电极金属层的厚度为2～3μm。

9.根据权利要求1或2或3所述的表面粗化的发光二极管芯片，其特征在于：所述p型半导体层与正电极金属层接触位置之间设置有电流阻档层。

10.根据权利要求1或2或3所述的表面粗化的发光二极管芯片，其特征在于：在所述衬底的背面还分别镀有氧化物反射层以及金属反射层。

11.根据权利要求1所述的表面粗化的发光二极管芯片制造方法，其特征在于包括以下步骤：

(a)在衬底正面形成锥状的光学微结构；

(b)在刻蚀后的衬底正面生长n型半导体层、发光层和p型半导体层，通过刻蚀形成负电极焊线区；

(c)在负电极焊线区上制作负电极金属层，在p型半导体层上制作正电极金属层；

(d)在负电极金属层与发光层和p型半导体层之间的局部负电极焊线区形成锥状的光学微结构；

(e)衬底背面通过研磨抛光后，在衬底的背面形成锥状的光学微结构。

12.根据权利要求11所述的表面粗化的发光二极管芯片制造方法，其特征在于：在步骤(b)之后，步骤(c)之前，在p型半导体层上生长电流扩散层。

13.根据权利要求12所述的表面粗化的发光二极管芯片制造方法，其特征在于：在所述电流扩散层表面形成锥状的光学微结构。

14.根据权利要求11或12或13所述的表面粗化的发光二极管芯片制造方法，其特征在于：所述锥状体的高度为0.5～5μm，底部直径为2～10μm。

15.根据权利要求14所述的表面粗化的发光二极管芯片制造方法，其特征在于：所述锥状体的高度为1.5～4μm，底部直径为4～8μm。

16.根据权利要求11或12或13所述的表面粗化的发光二极管芯片制造方法，其特征在于：正电极金属层形成的图形线条至负电极金属层形成的图形线条距离相等。

17.根据权利要求16所述的表面粗化的发光二极管芯片制造方法，其特征在于：所述正、负电极金属层的厚度为1～5μm。

18.根据权利要求17所述的表面粗化的发光二极管芯片制造方法，其特征在于：正、负电极金属层的厚度为2～3μm。

19.根据权利要求11或12或13所述的表面粗化的发光二极管芯片制造方法，其特征在于：所述p型半导体层与正电极金属层接触位置之间设置电流阻档层。

20.根据权利要求11或12或13所述的表面粗化的发光二极管芯片制造方法，其特征在于：在所述衬底的背面还分别先后镀有氧化物反射层以及金属反射层。