[发明专利]一种利用激光诱导铝热反应制备太阳电池背面点接触电极的方法

权利要求书

1.一种利用激光诱导铝热反应制备太阳电池背面点接触电极的方法，其特征在于，首先在硅基体的背面镀钝化介质层，然后在钝化介质层上蒸镀铝层，再在铝层上印刷或涂敷铝热剂，然后用激光辐照点燃铝热剂，引发铝热反应产生550℃以上的高温，从而使铝层与硅基体熔融后结晶，最终形成欧姆接触和铝背场。

2.根据权利要求1所述的利用激光诱导铝热反应制备太阳电池背面点接触电极的方法，其特征在于，所述的铝热剂呈点状，以一定阵列排布在铝层上。

3.根据权利要求1所述的利用激光诱导铝热反应制备太阳电池背面点接触电极的方法，其特征在于，所述的铝层厚度为0.1～10um。

4.根据权利要求1所述的利用激光诱导铝热反应制备太阳电池背面点接触电极的方法，其特征在于，所述的硅基体为p型单晶硅片或p型多晶硅片。

5.根据权利要求1所述的利用激光诱导铝热反应制备太阳电池背面点接触电极的方法，其特征在于，所述的铝热剂是由还原性单质金属粉和金属氧化物组成，其中还原性单质金属粉占铝热剂的重量比例为2～30％。

6.根据权利要求5所述的利用激光诱导铝热反应制备太阳电池背面点接触电极的方法，其特征在于，所述的还原性单质金属粉为铝粉或镁粉。

7.根据权利要求5所述的利用激光诱导铝热反应制备太阳电池背面点接触电极的方法，其特征在于，所述的金属氧化物为氧化铜或氧化钛。

8.根据权利要求1所述的利用激光诱导铝热反应制备太阳电池背面点接触电极的方法，其特征在于，所述的铝热反应产生550℃以上的高温，并将550℃以上的高温传递给蒸镀在硅片上的铝层，使铝元素溶解在硅基体中形成欧姆接触。

9.根据权利要求1所述的利用激光诱导铝热反应制备太阳电池背面点接触电极的方法，其特征在于，所述的铝热反应产生550℃以上的高温，并将550℃以上的高温传递给蒸镀在硅片上的铝层，使铝元素溶解在硅基体中形成铝背场。