[发明专利]一种晶体硅太阳电池铝背场二次烧结工艺

权利要求书

1.一种晶体硅太阳电池铝背场二次烧结工艺，其特征在于，利用激光束或微波束在晶体硅太阳电池背面铝层密集扫描，使扫描区域内的铝瞬间加热熔化，并向硅体扩散，形成性能优异的重扩散铝背场。

2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池铝背场二次烧结工艺，其特征在于，所述的激光束采用功率为1～1000W、波长为1100～200nm的脉冲或连续激光束，在经过聚焦后达到微米至毫米量级直径的光斑照射到铝层表面进行扫描。

3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池铝背场二次烧结工艺，其特征在于，所述的微波束采用功率10～1000W、毫秒及更短的脉冲宽度的微波源，经过天线汇聚后在铝层上进行加热。

4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池铝背场二次烧结工艺，其特征在于，根据晶体硅片、印刷铝层和激光、微波的性能，选择合适的扫描图样，在太阳电池背面进行全面或者局部的烧结。

5.根据权利要求4所述的多晶硅太阳电池绒面制作方法，其特征在于，所述的扫描图样设计成点阵或线阵。