[发明专利]电子级高纯氢氟酸的制备方法无效
申请号: | 200910039518.5 | 申请日: | 2009-05-15 |
公开(公告)号: | CN101597032A | 公开(公告)日: | 2009-12-09 |
发明(设计)人: | 肖定军;陈旭波;谭泽;余军文 | 申请(专利权)人: | 广东光华化学厂有限公司;广州市金华大化学试剂有限公司 |
主分类号: | C01B7/19 | 分类号: | C01B7/19 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 | 代理人: | 裘 晖 |
地址: | 515021*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 高纯 氢氟酸 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于化工生产领域,特别涉及一种电子级高纯氢氟酸的制备方法。
背景技术
氢氟酸(hydrofluoric,HF),相对分子量20.1,为无色透明液体,强酸性;其对金属、玻璃有强烈的腐蚀性,为剧毒。氢氟酸密度(25℃)为1.13g/ml(40重量%)。超净电子级氢氟酸为强酸性清洗、腐蚀剂,主要用于超大规模集成电路生产。目前超净电子级氢氟酸主要的生产方法为,用水吸收无水氟化氢调配成浓度为40重量%的氢氟酸,再通过精馏釜精馏和氟化氢吸收制成氢氟酸半成品,再通过超净过滤制成超净氢氟酸;该生产方法利用大多数杂质具有很高的沸点除去,但氢氟酸中三氟化砷杂质比较难以分离出去,其容易和氢氟酸一起共沸出来。
专利CN101003361、CN101125639、CN1931709等用工业无水氟化氢液体通入精馏釜,加入高锰酸钾,将出精馏釜的纯化的氟化氢气体通入冷却器进行冷却和过滤;但未能对氢氟酸进行深度金属离子进行脱除,难以保证产品质量。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术存在的缺点和不足,提供一种电子级高纯氢氟酸的制备方法,此方法能有效去除各种金属杂质、有机物,并能深度脱除氢氟酸中的金属离子和固体粒子。
本发明的另一目的在于提供一种上述方法制备的电子级高纯氢氟酸。
本发明的再一目的在于提供上述的电子级高纯氢氟酸的用途。
本发明的目的通过下述技术方案实现:一种电子级高纯氢氟酸的制备方法,包括以下操作步骤:
(1)液体无水氯化氢的预处理:向液体无水氟化氢中加入质量百分比浓度为2~5%(w/w)的高锰酸钾(KMnO4)溶液和质量百分比浓度为2~5%(w/w)的氢氧化钠(NaOH)溶液,搅拌,静置;
(2)液体无水氯化氢的精馏:在19~35℃的温度条件下进行精馏、纯化,得到氟化氢气体;
(3)氢氟酸半成品的制备:用超纯水对步骤(2)所得氟化氢气体进行吸收,得到氢氟酸半成品;
(4)氢氟酸半成品的预处理:用高分子螯合剂对步骤(3)所得氢氟酸半成品进行吸附处理;
(5)氢氟酸半成品中金属离子的去除:将经过预处理的氢氟酸半成品通过混合床阴阳离子体系,去除金属离子;
(6)电子级高纯氢氟酸的获得:将去除金属离子的氢氟酸半成品进行超滤处理,得到电子级高纯氢氟酸。
步骤(1)所述所述高锰酸钾溶液的加入量为液体无水氯化氢质量的2~4%(w/w);所述氢氧化钠溶液的加入量为液体无水氯化氢质量的2~4%(w/w);所述静置的时间为0.5~1小时。
步骤(6)所述超滤是采用膜分离进行超滤处理。
一种上述方法制备的电子级高纯氢氟酸。
上述电子级高纯氢氟酸应用于超精密集成电路材料。
本发明的原理是:本发明将液体无水氯化氢预处理后进行精馏纯化,最大限度在预处理过程中除去各种金属杂质、SO2、SO3、SiF62-等无机物和微量有机污染物,在精馏过程中,三氟化砷杂质、二氧化硫、三氧化硫、氟硅酸根离子等物质转化为难挥发的化合物,并富集于精馏塔釜底残液中得以除去;经过精馏预处理后,大部分金属和能水合的杂质得以除去,但仍含有少量金属杂质,采用高分子鳌合剂对氢氟酸进行吸附处理,以除去氢氟酸中的少量的金属离子(Fe3+、Cu2+、Al3+、SiF62-等),以低降离子交换树脂负荷,延长离子交换树脂的寿命,有利于离子交换系统的平稳运行,同时也能极大的降低生产的成本;通过混合床多循环阴阳离子交换体系,深度驱除金属离子,确保产品的质量;通过膜分离超滤,确保氢氟酸溶液中颗粒杂质达到超净电子级产品质量标准。
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