[发明专利]激光制作无铅钎料凸点的方法无效
申请号: | 200910039581.9 | 申请日: | 2009-05-19 |
公开(公告)号: | CN101556925A | 公开(公告)日: | 2009-10-14 |
发明(设计)人: | 师文庆;杨永强 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;B23K26/20 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李卫东 |
地址: | 510640广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 制作 无铅钎料凸点 方法 | ||
1、激光制作无铅钎料凸点的方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)在基体用于植球的位置上涂上无铅钎料,将已涂上无铅钎料的基体置于激光制作系统的加工平面上;
(2)将基体植球处的位置数据输入计算机中,计算机中已编写好的程序对应更新数据,并通过植球处的位置数据进行植球路径规划;
(3)计算机将规划好的植球路径形成控制信号分别送入控制部件和激光器;
(4)在计算机上设置激光制作钎料凸点的各个工艺参数;
(5)控制部件接收控制信号,控制激光制作系统中的振镜单元工作,同时激光器发出的激光束根据植球路径,经过振镜单元后,再经过f-θ平场透镜,最后在加工平面上扫描,将无铅钎料熔化;
(6)在移走激光束后,无铅钎料凝固,与基体进行冶金结合,至此形成无铅钎料凸点。
2、根据权利要求1所述激光制作无铅钎料凸点的方法,其特征在于,所述无铅钎料为Sn-Ag-Cu。
3、根据权利要求1所述激光制作无铅钎料凸点的方法,其特征在于,步骤(1)所述加工平面为激光制作系统中f-θ平场透镜的焦平面。
4、根据权利要求1所述激光制作无铅钎料凸点的方法,其特征在于,步骤(2)中所述已编写好的程序为路径规划程序。
5、根据权利要求1所述激光制作无铅钎料凸点的方法,其特征在于,步骤(3)中所述控制信号采用USB数据线输送。
6、根据权利要求1所述激光制作无铅钎料凸点的方法,其特征在于,所述激光器为光纤激光器。
7、根据权利要求1所述激光制作无铅钎料凸点的方法,其特征在于,步骤(4)中所述工艺参数包括激光器的平均输出功率、单脉冲激光能量、激光光斑在焦平面的直径、激光束在焦平面的扫描速度、激光束的脉冲宽度、激光束的脉冲频率、激光束的脉冲波形以及离焦量。
8、根据权利要求7所述激光制作无铅钎料凸点的方法,其特征在于,所述激光器的平均输出功率为12w~200w,单脉冲激光能量为10-5~10-3J,激光束在焦平面的直径为10μm~30μm,激光束在焦平面的扫描速度为1mm/s~10mm/s,激光束的脉冲宽度为微秒以下量级,激光束的脉冲频率为100kHz~500kHz。
9、根据权利要求1所述激光制作无铅钎料凸点的方法,其特征在于,所述步骤(5)具体包括以下步骤:
(5-1)激光制作系统中,激光器接收计算机的控制信号后,发出激光束,激光束依次照射到振镜单元中Y方向和X方向的扫描振镜上;
(5-2)控制部件接收计算机发出的控制信号后,分别控制振镜单元中Y方向和X方向的振镜电机按预设的程序转动,分别带动Y方向和X方向的扫描振镜转动;
(5-3)激光束根据规划好的植球路径,经过Y方向的扫描振镜反射后照射到X方向的扫描振镜,再经过X方向的扫描振镜反射到f-θ平场透镜上,经过f-θ平场透镜聚焦后的激光束照射到置于加工平面的基体上预涂的无铅钎料上,使无铅钎料熔化。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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