[发明专利]发光二极管倒装焊集成封装结构及制作方法无效
申请号: | 200910039786.7 | 申请日: | 2009-05-26 |
公开(公告)号: | CN101567411A | 公开(公告)日: | 2009-10-28 |
发明(设计)人: | 肖国伟;曾照明;周玉刚;侯宇 | 申请(专利权)人: | 晶科电子(广州)有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L25/075;H01L21/48;H01L21/50 |
代理公司: | 广州凯东知识产权代理有限公司 | 代理人: | 宋冬涛 |
地址: | 511458广东省广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 倒装 集成 封装 结构 制作方法 | ||
1、发光二极管倒装焊集成封装结构,其特征在于:以硅片衬底直接作为LED芯片结构支撑的表面贴装支架和散热通道,将至少一个LED芯片直接倒装焊接在具有反光杯的硅片衬底上。
2、如权利要求1所述的发光二极管倒装焊集成封装结构,其特征在于:所述的硅片衬底的正面设置有正面电极连接层,正面电极连接层从硅片衬底的正面引到背面与硅片衬底背面的电极金属焊盘连接,至少一个LED芯片直接通过金属凸点倒装焊接在具有反光杯的硅片衬底的正面电极连接层上。
3、如权利要求1或2所述的发光二极管倒装焊集成封装结构,其特征在于:所述的硅片衬底上集成有LED所需的配套电路,硅片衬底的背面设置有背面导热金属焊盘。
4、如权利要求2所述的发光二极管倒装焊集成封装结构,其特征在于:所述的正面电极连接层从硅片衬底的正面引到背面与硅片衬底背面的电极金属焊盘连接的方式是硅槽侧壁引线或者硅片衬底通孔引线的方式。
5、如权利要求1或2所述的发光二极管倒装焊集成封装结构,其特征在于:所述的反光杯是通过直接在硅片衬底上形成硅槽作为反光杯口,硅槽表面沉积金属层作为反光层。
6、如权利要求1或2所述的发光二极管倒装焊集成封装结构,其特征在于:所述的反光杯是反光杯圆片与硅片衬底之间是通过中间介质层粘合连接在一起。
7、如权利要求2所述的发光二极管倒装焊集成封装结构,其特征在于:所述的金属凸点是制造在LED芯片的P电极和N电极上;或者金属凸点是制造在硅片衬底上,LED芯片的电极焊盘倒装直接与硅片衬底的金属凸点连接。
8、一种发光二极管倒装焊集成封装方法,其特征在于:制作步骤如下:(1)进行LED芯片制造;(2)制作硅片衬底,在硅片衬底上形成反光杯;(3)将LED芯片直接倒装焊在硅片衬底内;(4)进行LED的后封装。
9、如权利要求8所述的发光二极管倒装焊集成封装方法,其特征在于:所述的(2)步骤包括的制作步骤如下:a、首先制作硅片衬底和反光杯圆片;b、然后将硅片衬底和反光杯圆片进行圆片级的键合,使硅片衬底和反光杯圆片连接在一起;c、在硅片衬底的背面开出凹槽;d、在硅片衬底的凹槽内和背面金属布线。
10、如权利要求8所述的发光二极管倒装焊集成封装方法,其特征在于:所述的(2)步骤的包括的制作步骤如下:a、在硅片衬底上形成硅槽反光杯口和底部通孔;b、然后在硅片衬底的正面和背面进行金属布线。
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