[发明专利]一种外延生长用的图形衬底及其制作方法有效
申请号: | 200910041035.9 | 申请日: | 2009-07-10 |
公开(公告)号: | CN101599466A | 公开(公告)日: | 2009-12-09 |
发明(设计)人: | 王钢;招瑜 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | H01L23/00 | 分类号: | H01L23/00;H01L21/02 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人: | 禹小明 |
地址: | 510275广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 外延 生长 图形 衬底 及其 制作方法 | ||
1.一种外延生长用的图形衬底的制作方法,包括以下步骤:
a、在基板上蒸镀一层Al层;
b、在Al层的上表面,采用阳极氧化的方法,使Al层上部一定厚度的 Al转化成多孔图形的Al2O3结构;
c、将上述结构从低温到高温渐变的分段加热方法,加热至1000℃以 上且在Al2O3熔点以下的温度,直至非晶的Al2O3转变成单晶Al2O3层,最 终形成蓝宝石结构层,完成该衬底的制作;
其特征在于,步骤b和c之间还包括以下步骤:采用电子束光刻、多 光束干涉或离子束刻蚀方法,制作具有周期性图形的硬膜,然后采用压印 的方法,在Al2O3层表面形成周期性微孔,得到周期性的光子晶体图形。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于:具有多孔图形的 Al2O3结构样品置于空气或氧气或惰性气体环境中,从低温到高温,分段进 行加热,在300~600℃温度段,加热20分钟到5小时,在这个过程中,非 晶的氧化铝层会慢慢转变为多晶;随后,在700~900℃温度段加热1到5 小时,多晶Al2O3层将晶变为单晶的Al2O3层;最后,在1000℃以上,Al2O3熔点以下温度中加热样品1到5小时,此过程中,氧化铝固态转变为更为 致密的蓝宝石结构层。
3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于:具有多孔图形的Al2O3结构样品置于空气或氧气或惰性气体环境中,从低温到高温,分段进行加 热,在300~600℃温度段,加热20分钟到5小时,在这个过程中,非晶的 氧化铝层会慢慢转变为多晶;然后,在1000℃以上,2050℃以下温度中加 热样品1到5小时,此过程中,氧化铝固态转变为更为致密的蓝宝石结构 层。
4.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于:阳极氧化的电解液 使用一预定浓度的3℃的硫酸或草酸;使用H3PO4溶液浸泡或离子束刻蚀 样品,进行通孔或扩孔,调节孔洞大小;孔洞的深度与氧化时间成正比。
5.根据权利要求4所述的制作方法,其特征在于:该多孔图形的Al2O3结构通过一次阳极氧化或者通过二次阳极氧化的方法制备,得到多孔图形, 该二次阳极氧化方法为使用一定浓度比的HgCl2或H3PO4或HCl或CuCl2, 把一次阳极氧化得到的氧化层去掉,留下表面的周期性微孔,重复步骤b, 再次进行阳极氧化,得到多孔图形。
6.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于:该蓝宝石结构层的 厚度为100nm~2μm,该Al层的厚度为50nm~5μm。
7.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于:该基板为Si基板、 绝缘体上硅基板、GaAs基板或GaP基板。
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