[发明专利]一种量子阱红外焦平面阵列及其制作方法无效
申请号: | 200910041873.6 | 申请日: | 2009-08-14 |
公开(公告)号: | CN101635295A | 公开(公告)日: | 2010-01-27 |
发明(设计)人: | 孙鲁;江灏 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L27/144;H01L21/82;H01L21/48;H01L21/60 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人: | 禹小明 |
地址: | 510275广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 量子 红外 平面 阵列 及其 制作方法 | ||
1.一种量子阱红外焦平面阵列,包括衬底(5)、置于该衬底(5)正面的 由量子阱红外探测器单元(1)组成的量子阱红外探测器阵列(6)、置于该衬底 (5)背面的和所述量子阱红外探测器单元(1)一一对应的实现探测信号读出 的读出电路阵列(7),所述量子阱红外探测器阵列(6)和读出电路阵列(7) 通过上电极引线(3)和下电极引线(4)互联,其特征在于:在所述量子阱红 外探测器阵列(6)中相邻的量子阱红外探测器单元(1)列与列之间还设有红 外光反射镜台(2),该红外光反射镜台(2)能将垂直入射的红外光信号反射为 与所述衬底(5)平行的红外光信号,且在其上表面设有对红外光有反射性的镀 层。
2.根据权利要求1所述的量子阱红外焦平面阵列,其特征在于:该红外光 反射镜台(2)为侧棱与衬底(5)以及量子阱红外探测器单元(1)列均平行放 置的底面为等腰直角三角形的三棱柱,所述三棱柱上表面两个侧面和衬底(5) 夹角均为45°放置。
3.根据权利要求2所述的量子阱红外焦平面阵列,其特征在于:所述两个 侧面设有的对红外光有反射性的镀层为金镀层。
4.根据权利要求1所述的量子阱红外焦平面阵列,其特征在于:该量子阱 红外探测器单元(1)包括上欧姆接触层(8)、中间的多量子阱层(9)以及下 欧姆接触层(10),该量子阱红外探测器单元(1)形状为圆柱体或长方体。
5.根据权利要求1所述的量子阱红外焦平面阵列,其特征在于:该量子阱 红外探测器单元(1)为GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器单元。
6.根据权利要求1所述的量子阱红外焦平面阵列,其特征在于:所述衬底 (5)材质为GaAs。
7.一种量子阱红外焦平面阵列的制作方法,其特征在于:在衬底(5)上 采用分子束外延或金属有机化学气相生长出整层的上欧姆接触层(8)、中间的 多量子阱层(9)以及下欧姆接触层(10);
使用光刻胶把将要刻蚀红外光反射镜台(2)的区域保护起来,刻蚀出量子 阱红外探测器单元(1);
使用光刻胶将已经刻蚀好的量子阱红外探测器单元(1)保护起来,采用原 子精确刻蚀的方式完成对红外光反射镜台(2)的刻蚀;
在红外光反射镜台(2)表面蒸镀对红外光有反射性的镀层;
使用标准集成电路工艺制作上电极引线(3)和下电极引线(4);
通过铟球实现读出电路阵列(7)和上电极引线(3)、下电极引线(4)的 键合;
所述原子精确刻蚀为AsBr3干法刻蚀。
8.根据权利要求7所述的量子阱红外焦平面阵列的制作方法,其特征在于: 所述对红外光有反射性的镀层为金镀层。
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