[发明专利]串联电容补偿器无效
| 申请号： | 200910042081.0 | 申请日： | 2009-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101640422A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 黄元亮;钱清泉;方科 | 申请（专利权）人： | 暨南大学珠海学院 |
| 主分类号： | H02J3/18 | 分类号： | H02J3/18;H02J3/01 |
| 代理公司： | 珠海智专专利商标代理有限公司 | 代理人： | 张 中 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 串联 电容 补偿 | ||
1.串联电容补偿器，包括
断路开关组；
通过所述断路开关组可串联于接融网上的第一电容补偿模块，所 述第一电容补偿模块具有电容器组；
其特征在于：
所述第一电容补偿模块还包括一个与所述电容器组并联的控制模 块，所述控制模块具有可控器件；
所述第一电容补偿模块具有二组或二组以上并联连接的电容器 组，每一电容器组均与一第一断路开关(K11、K12)串联连接；
所述第一电容补偿模块还包括一电感器(L2)，并设有与所述电 容器组数量相等的多个第二断路开关(K13、K14)，所述多个第二断 路开关(K13、K14)中的每一个串联在所述电感器与所述控制模块之 间。
2.根据权利要求1所述的串联电容补偿器，其特征在于：
所述控制模块具有两个反向并联连接的可控器件。
3.根据权利要求1或2所述的串联电容补偿器，其特征在于：
所述可控器件为半控型晶闸管或门极可关断晶闸管或电力晶体管 或电力场效应管或绝缘栅双极晶体管。
4.根据权利要求1或2所述的串联电容补偿器，其特征在于：
还包括与所述第一电容补偿模块并联的第二电容补偿模块。
5.根据权利要求4所述的串联电容补偿器，其特征在于：
所述第二电容补偿模块具有容量固定的电容器组，所述电容器组 与一第三断路开关(K7)串联。
6.串联电容补偿器，包括
断路开关组；
通过所述断路开关组可串联于接融网上的第一电容补偿模块，所 述第一电容补偿模块具有电容器组；
其特征在于：
所述第一电容补偿模块还包括一个与所述电容器组并联的控制模 块，所述控制模块具有可控器件；
所述第一电容补偿模块具有二组或二组以上并联连接的电容器 组，每一电容器组均与一第一断路开关(K11、K12)串联连接；
所述第一电容补偿模块还设有与所述电容器组数量相等且串联连 接的多个电感器(L3、L4)，并设有与电感器数量相等的多个第二断 路开关(K15、K16)，且每一个第二断路开关(K15、K16)串联在该 断路开关对应的一个电感器(L3、L4)与所述控制模块之间。
7.根据权利要求6所述的串联电容补偿器，其特征在于：
所述控制模块具有两个反向并联连接的可控器件。
8.根据权利要求6或7所述的串联电容补偿器，其特征在于：
所述可控器件为半控型晶闸管或门极可关断晶闸管或电力晶体管 或电力场效应管或绝缘栅双极晶体管。
9.根据权利要求6或7所述的串联电容补偿器，其特征在于：
还包括与所述第一电容补偿模块并联的第二电容补偿模块。
10.根据权利要求9所述的串联电容补偿器，其特征在于：
所述第二电容补偿模块具有容量固定的电容器组，所述电容器组 与一第三断路开关(K7)串联。
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