[发明专利]一种金刚石/W-C梯度结构复合涂层及其制备方法无效
申请号: | 200910042740.0 | 申请日: | 2009-02-27 |
公开(公告)号: | CN101487121A | 公开(公告)日: | 2009-07-22 |
发明(设计)人: | 魏秋平;余志明;陈永勤;尹登峰 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | C23C28/00 | 分类号: | C23C28/00;C23C16/27;C23C14/34;C23C14/16 |
代理公司: | 长沙市融智专利事务所 | 代理人: | 颜 勇 |
地址: | 410083湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金刚石 梯度 结构 复合 涂层 及其 制备 方法 | ||
1.一种金刚石/W-C梯度结构复合涂层,其特征在于:所述的金刚石/W-C梯度结构复合涂层在WC-Co硬质合金基材表面制备而成,所述的金刚石/W-C梯度结构复合涂层包括W-C梯度结构的过渡层和金刚石耐磨层,所述过渡层为WC-Co和WC的梯度结构层,所述的耐磨层为金刚石薄膜;所述的WC的梯度结构层为从WC-Co硬质合金基材到金刚石/W-C梯度结构复合涂层表面方向W∶C依次递增的多层W-C相,其中W∶C原子比≥1∶1。
2.根据权利要求1所述的金刚石/W-C梯度结构复合涂层,其特征在于:所述过渡层的厚度为0.5~15μm,所述耐磨层的厚度为1~100μm;所述的WC的梯度结构层依次包括如下4层:WC、WC1-x、W2C和W3C;其中x的取值范围为0.34~0.43。
3.一种金刚石/W-C梯度结构复合涂层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)对硬质合金试样进行抛光,使得合金表面粗糙度小于50nm,所述的硬质合金试样是WC-Co硬质合金基材;
2)将抛光后样品浸泡在Murakami试剂静置腐蚀或通过超声波震荡腐蚀硬质合金试样表面的WC相;
3)腐蚀处理后的试样上,采用反应溅射方法制备0.5~15μm厚的含C量呈梯度变化的W-C化合物梯度过渡层:具体制备方法为:首先,采用反应溅射法在试样表面沉积一层WC,然后逐渐降低含碳气体在反应气氛中的体积百分含量,使过渡层表层沉积为含碳量逐渐递减的WC、WC1-x、W2C、W3C的W-C梯度结构相,其中x的取值范围为0.34~0.43;即含C量呈梯度变化的W-C化合物梯度过渡层是从WC-Co硬质合金基材到金刚石/W-C梯度结构复合涂层表面方向W∶C依次递增的;
4)制备过渡层后,将试样置于粒度小于500nm的纳米金刚石粉的丙酮悬浊液中,采用超声波震荡种植籽晶处理;
5)在种植籽晶处理后的试样表面,采用化学气相沉积方法制备金刚石耐磨层。
4.根据权利要求3所述的金刚石/W-C梯度结构复合涂层的制备方法,其特征在于,步骤2)所述的Murakami试剂的成分为(体积百分含量):K3[Fe(CN)6]:5~20%,KOH:5~20%,H2O:60~90%。
5.根据权利要求3所述的金刚石/W-C梯度结构复合涂层的制备方法,其特征在于,所述的反应溅射方法使用的靶材为纯钨靶,反应气体为氩气和含碳气体。
6.根据权利要求5所述的金刚石/W-C梯度结构复合涂层的制备方法,其特征在于,所述的含碳气体为甲烷或乙炔。
7.根据权利要求3所述的金刚石/W-C梯度结构复合涂层的制备方法,其特征在于,所述的化学气相沉积方法为热丝CVD法、微波CVD法、火焰燃烧CVD法或直流喷射CVD法。
8.根据权利要求3~7中任一项所述的金刚石/W-C梯度结构复合涂层的制备方法,其特征在于,步骤5)中的制备条件为:制备温度为600~1100℃,沉积气压为1~15KPa,时间为1~100小时。
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