[发明专利]一种使用锥面焊盘进行热超声倒装焊的芯片封装方法无效
申请号: | 200910043139.3 | 申请日: | 2009-04-17 |
公开(公告)号: | CN101527271A | 公开(公告)日: | 2009-09-09 |
发明(设计)人: | 唐华平;杜磊;姜永正;郝长千 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/48;B23K20/10 |
代理公司: | 长沙市融智专利事务所 | 代理人: | 邓建辉 |
地址: | 410083*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 使用 锥面 进行 超声 倒装 芯片 封装 方法 | ||
1、一种使用锥面焊盘进行热超声倒装焊的芯片封装方法,其特征是:包括如下步骤:
(1)、凸点的制作
通过通用引线键合机在完成集成电路的芯片上将凸点植入到芯片I/O口;
(2)、基板及其锥面焊盘的制作
首先在准备好的基板上做出与芯片凸点大小相当对应的锥形凹坑,然后在锥形凹坑的锥面上涂上金、钛或钨形成锥面焊盘,基板选用陶瓷或铝材料,其面积和厚度一般都比芯片大;
(3)、芯片和基板的连接
(3.1)把基板固定在加热台上,加热台采用恒温加热,温度为140~160℃;
(3.2)利用真空吸头通过夹具夹持芯片,并利用光学系统实现芯片凸点与基板锥面焊盘的对准;
(3.3)带有芯片的夹具头缓慢下降,直到芯片凸点和基板锥面焊盘相互接触,并施加焊接压力为38~42g/每个凸点;
(3.4)对芯片施加纵向即基板法向的超声波能量,使凸点发生变形并与锥面焊盘逐渐相结合,焊接时间为0.15~0.25ms,超声功率为35~45mW/每个凸点;
(3.5)焊接完成之后释放真空吸力,使夹具提升。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造