[发明专利]一种非带隙的高精度基准电压源无效
申请号: | 200910043640.X | 申请日: | 2009-06-09 |
公开(公告)号: | CN101571728A | 公开(公告)日: | 2009-11-04 |
发明(设计)人: | 陈怒兴;肖海鹏;赵振宇;陈吉华;李少青;马卓;张民选;郭阳;方粮;白创;刘梅;黄冲;李俊丰 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
主分类号: | G05F3/30 | 分类号: | G05F3/30 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410073湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 非带隙 高精度 基准 电压 | ||
1.高精度非带隙基准电压产生电路,其特征在于:
由启动电路(1),基准电流产生电路(2),基准电压产生电路(3)构成;其中启动电路(1)由MOS管MS1、MS2、MS3、MS4和MS5组成,PMOS管MS1的源极和MS3的源极接电源,NMOS管MS2的源极、MS4的源极和MS5的源极接地,MS1管的栅极与基准电流产生电路(2)中M1管的栅极、漏极相连,MS1管的漏极与MS2管的栅极、MS3管的栅极、MS4管的栅极以及MS2管的漏极相连,MS3管的漏极与MS4管的漏极以及MS5管的栅极相连,MS5管的漏极与基准电流产生电路(2)中M3管的漏极、栅极以及M5管的漏极相连;基准电流产生电路(2)由PMOS管M1、M2、M3和M4,NMOS管M5、M6以及电阻R0构成,M1管的源极、M2管的源极接电源,M1管栅极、漏极短接并与M3管的源极、M2管的栅极、基准电压产生电路(3)中M7管栅极以及启动电路(1)中MS1管栅极相连,M2管的漏极与M4管的源极相连,M3管栅极、漏极短接并与M5管漏极、M4管的栅极以及基准电压产生电路(3)中M8管的栅极相连,M5管的源极连接电阻R0的一端,电阻R0的另一端接地,M6管栅极、漏极短接并与M5管的栅极以及M4管的漏极相连,M6管的源极接地;基准电压产生电路(3)包括PMOS管M7、M8、MP,NMOS管MN和电阻R1、R2,其中M7管的源极接电源,电阻R1的一端与M8管的漏极、MP管的源极相连,电阻R1的另一端与电阻R2的一端和MN管的栅极相连,电阻R2的另一端接地,MN管的源极接地,M7管的漏极连接M8管的源极,MP管的栅极、漏极短接并与MN管的漏极连在一起后作为电路的输出。
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