[发明专利]双面PN结硅太阳能电池无效
申请号: | 200910043949.9 | 申请日: | 2009-07-23 |
公开(公告)号: | CN101964372A | 公开(公告)日: | 2011-02-02 |
发明(设计)人: | 张恩理;娄志林 | 申请(专利权)人: | 湖南天利恩泽太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 411102 湖南省湘*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双面 pn 太阳能电池 | ||
1.一种双面PN结硅太阳能电池,其特征是:接收光照的晶体硅片正面有PN结,即称正面PN结;晶体硅片背面也有PN结,称背面PN结,所述正面PN结与背面PN结并联或串联,构成双面PN结太阳能电池。
2.如权利要求1所述的一种双面PN结硅太阳能电池,其特征是:
对于P型晶体硅片,中间层是P层(2),正面N层(1)上有正面N极栅线(6),背面是P极栅线N极栅线相间,正面N极栅线(6)和P型背面N极栅线(5)的两种连接方法分别是:
正面N极栅线(6)和P型背面N极栅线(5)延伸到硅片边缘,硅片边缘用汇流线连接,硅片侧面涂刷与N极栅线相同的浆料,使正面和背面的N极并联;
在硅片的正面N极栅线(6)和P型背面N极栅线(5)之间打孔,孔内壁扩散成N型硅或孔内填充与N栅线相同的浆料;
对于N型晶体硅片,中间层是N层(10),正面P层(7)上面有正面P极栅线(11),背面是P极栅线和N极栅线相间,正面P极栅线(11)与N型背面的P极栅线(12)两种连接方法分别是:
正面P极栅线(11)和N型背面P极栅线(12)延伸到硅片边缘,硅片边缘用汇流线连接,硅片侧面涂刷与P极栅线相同的浆料,使正面和背面的P极并联;
在硅片的正面P极栅线(11)和N型背面P极栅线(12)之间打孔,孔内壁扩散成P型硅或孔内填充与P极栅线相同的浆料。
3.如权利要求1所述的一种双面PN结硅太阳能电池,其特征是:正面PN结的N极和背面PN结的P极相连或者正面PN结的P极和背面PN结的N极相连,形成串联连接方式。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的