[发明专利]监控金属硅化物形成质量的结构

权利要求书

1.一种监控金属硅化物形成质量的结构，包括第一类型半导体衬底，该衬底表面具有第二类型半导体注入区，其特征在于该结构还包括位于第二类型半导体注入区上的多晶硅线和金属硅化物有源区，其中所述的金属硅化物有源区设置于相邻的两根多晶硅线之间，该金属硅化物有源区中设置有连通引出结构。

2.根据权利要求1所述的监控金属硅化物形成质量的结构，其特征在于所述第一类型半导体衬底为P型半导体衬底，所述第二类型半导体注入区为N+半导体注入区。

3.根据权利要求1所述的监控金属硅化物形成质量的结构，其特征在于所述相邻两根多晶硅线之间的距离为最小设计准则的距离，且各多晶硅线与该金属硅化物有源区部分重叠。

4.根据权利要求1所述的监控金属硅化物形成质量的结构，其特征在于所述连通引出结构设置于该金属硅化物有源区的两端。

5.根据权利要求4所述的监控金属硅化物形成质量的结构，其特征在于所述连通引出结构为设置于该金属硅化物有源区上的通孔和穿设于通孔并与所述的第二类型半导体注入区相连通的金属线。

6.根据权利要求1所述的监控金属硅化物形成质量的结构，其特征在于所述多晶硅线的边缘与相邻的金属硅化物有源区的边缘之间的距离为最小设计准则的距离。

7.根据权利要求1所述的监控金属硅化物形成质量的结构，其特征在于所述金属硅化物有源区具有横向有源区和竖向有源区，其中横向有源区比竖向有源区宽。

8.根据权利要求7所述的监控金属硅化物形成质量的结构，其特征在于所述横向有源区设置有连通引出结构，所述连通引出结构为设置于该金属硅化物有源区上的通孔和穿设于通孔并与所述的第二类型半导体注入区相连通的金属线。