[发明专利]全范围快速熔断器有效
申请号: | 200910045078.4 | 申请日: | 2009-01-08 |
公开(公告)号: | CN101777466A | 公开(公告)日: | 2010-07-14 |
发明(设计)人: | 林海鸥;倪溢雯;沈一鸣;徐鹤 | 申请(专利权)人: | 上海电器陶瓷厂有限公司 |
主分类号: | H01H85/05 | 分类号: | H01H85/05;H01H85/08;H01H85/11 |
代理公司: | 上海明成云知识产权代理有限公司 31232 | 代理人: | 周成 |
地址: | 200071*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 范围 快速 熔断器 | ||
技术领域
本发明涉及熔断器技术,更具体地说,涉及一种额定电压为交流250V,直流170V,额定电流范围为50~160A的全范围快速熔断器。
背景技术
熔断器是一种用于电缆、电线以及设备电路的过载与短路保护装置。熔断器的种类有很多,目前,较为常见的有:用于电缆电线保护的全范围普通熔断器(gG)、用于半导体保护的部分范围快速熔断器(aR)等,这些熔断器结构基本相同,一般均包括熔管、触刀、熔体和石英砂,触刀设于熔管两端,熔体和石英砂设于熔管内。不同的是,请参阅图1所示,全范围普通熔断器的熔体包括数个铜片10,每个铜片10设有数列断口11,每列断口内通孔为六边形孔12。请再参阅图2所示,而局部范围快速熔断器的熔体则包括数个银片20,每个银片20设有数列断口21,每列断口21内通孔为为圆孔22。但是,目前市场上用于半导体保护的全范围快速熔断器(gR)较少,特别是额定电压为交流250V,直流170V,最大额定电流能够到达160A的全范围快速熔断器到目前为止还没有。随着半导体技术的迅速发展,半导体设备逐渐趋于小型化,并且对额定电流范围以及低倍过载电流保护的要求也越来越高,目前市场上的全范围快速熔断器因体积较大、且可到达的最大额定电流较小而导致额定电流范围较小,显然已无法较好的满足相应半导体电路保护的需求,因此,迫切需要一种新的全范围快速熔断器来满足上述需求。
发明内容
针对现有技术存在的上述缺点,本发明的目的是提供一种全范围快速熔断器,该熔断器的体积小、额定电流范围可达50~160A,有利于为半导 体电路提供更加全面的保护。
为实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
该全范围快速熔断器包括熔管、设于熔管两端的铜帽和触刀以及设于熔管内的熔体和石英砂,熔体包括数个银片,每个银片上设有数列断口,每列断口内纵向开有相等数量的通孔,所述的每列断口的两边部分别呈半矩形结构,所述的通孔为矩形孔。
所述的银片一端断口的内侧还纵向焊接有一锡桥。
所述的银片的数量为一个或对称设置的两个,银片两端分别与铜帽内壁相连接。
所述的银片的厚度范围为0.1~0.18mm。
所述的断口数为平行设置的三列,每列断口的纵向开有一个矩形孔。
所述的断口边部与矩形孔之间的距离为0.5mm。
所述的矩形孔的长为2.2mm,宽为0.7mm。
所述的设于熔管两端的触刀之间的总长度为50~52mm,所述的熔管的直径为18mm。
在上述技术方案中,本发明的全范围快速熔断器包括熔管、设于熔管两端的铜帽和触刀以及设于熔管内的熔体和石英砂,熔体包括数个银片,每个银片上设有数列断口,每列断口内纵向开有相等数量的通孔,每列断口的两边部分别呈半矩形结构,通孔为矩形孔。两触刀之间的总长度为50~52mm,熔管的直径为18mm。采用该结构的全范围快速熔断器具有体积小、额定电流范围大的特点,并且通过设置锡桥能够产生冶金效应,从而降低银片的熔点,提高其低倍过载的保护性能,为半导体电路提供更加全面的保护。
附图说明
图1是现有技术的一种熔断器铜片的结构示意图;
图2是现有技术的另一种熔断器铜片的结构示意图;
图3是本实用新型的全范围快速熔断器的结构示意图;
图4是本实用新型的熔断器的银片的结构示意图;
图5是采用一个银片的本实用新型的熔断器的剖视图;
图6是采用两个银片的本实用新型的熔断器的剖视图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例进一步说明本发明的技术方案。
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