[发明专利]修复浅沟道隔离槽边角损伤的方法无效
| 申请号： | 200910045142.9 | 申请日： | 2009-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101777510A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 邓永平;何学缅;任红茹;樊强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 宋志强;麻海明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 修复 沟道 隔离 边角 损伤 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种修复浅沟道隔离槽STI边角损伤的方法，用于制作STI的过程中，其特征在于，在利用化学机械抛光去除沉积的氧化层之后，通过湿法刻蚀去除所述氮化物层之前，该方法进一步包括：对STI进行高温氧化处理。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对STI进行高温氧化处理的方法包括：
对STI进行快速热氧化处理或炉管氧化处理。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对STI进行快速热氧化处理的方法包括：
在60秒内将STI所处的环境温度线性加热至1100摄氏度，同时向晶圆所在的反应腔内通入氧气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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