[发明专利]半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 200910045143.3 | 申请日： | 2009-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101777494A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 王国华;吴汉明;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 宋志强;麻海明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，包括半导体衬底、沉积于衬底上的栅氧化 层及位于栅氧化层上的多晶硅层，其特征在于，该方法还包括：
以图案化的光阻胶为掩膜，刻蚀所述多晶硅层；
以所述图案化的光阻胶及刻蚀的多晶硅层为屏蔽，在所述衬底中进行深离 子注入，形成源极和漏极；
将所述图案化的光阻胶进行用于形成栅极的第二次图案化；
以所述第二次图案化的光阻胶为掩膜，第二次刻蚀所述多晶硅层形成栅极， 所述栅极两侧不设立栅极侧壁层；
以所述栅极为屏蔽，在所述衬底内进行浅离子注入；
在所述栅极及衬底表面沉积具有应力的氮化硅层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括在所述多晶 硅层上依次沉积接触氧化硅层及硬掩膜层。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述以图案化的光阻胶为掩膜， 刻蚀所述多晶硅层时，依次对硬掩膜层及接触氧化硅层进行刻蚀。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，进一步包括在形成栅极之前， 以第二次图案化的光阻胶为掩膜，依次对硬掩膜层及接触氧化层进行第二次刻 蚀。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述形成栅极是以第二次刻蚀 的硬掩膜层及接触氧化层为屏蔽，对多晶硅层进行第二次刻蚀以形成栅极。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述对多晶硅层进行第二次刻 蚀形成栅极之后，进一步包括去除硬掩膜层的步骤。
7.如权利要求1或6所述的方法，其特征在于，在对所述衬底内进行浅离 子注入前该方法进一步包括在栅极及衬底表面沉积氧化硅衬垫层。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述深离子注入或者在浅离 子注入之后进行退火工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
