[发明专利]提高有源区域边角圆度的方法

权利要求书

1.一种提高有源区域边角圆度的方法，用有源区域刻蚀和退却预处理工序之后，其特征在于，该方法包括：

对暴露出来的有源区域边角进行离子轰击，使得所述边角处的单晶硅结构转变为非晶结构；

对有源区域侧壁及沟槽底部暴露的单晶硅和经过离子轰击处理的有源区域边角进行氧化处理，得到硅的氧化薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对暴露出来的有源区域边角进行离子轰击在竖直方向上的入射角为：与晶圆表面垂直方向夹角为0度、7度或30度的方向。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，分别以晶圆表面两种方向的沟槽结构为X方向和Y方向，所述对暴露出来的有源区域边角进行离子轰击包括：沿X和Y的正负双方向，共进行4次离子轰击。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对暴露出来的有源区域边角进行离子轰击包括：

选用能量为30Kev、浓度为10¹⁵的锗离子束，在竖直方向上沿与晶圆表面垂直方向为30度夹角的入射角，在水平方向上沿X和Y的正负双方向，对所述有源区域边角进行轰击。