[发明专利]提高有源区域边角圆度的方法无效
申请号: | 200910045191.2 | 申请日: | 2009-01-12 |
公开(公告)号: | CN101777495A | 公开(公告)日: | 2010-07-14 |
发明(设计)人: | 邓永平 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L21/263 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 宋志强;麻海明 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提高 有源 区域 边角 方法 | ||
1.一种提高有源区域边角圆度的方法,用有源区域刻蚀和退却预处理工序之后,其特征在于,该方法包括:
对暴露出来的有源区域边角进行离子轰击,使得所述边角处的单晶硅结构转变为非晶结构;
对有源区域侧壁及沟槽底部暴露的单晶硅和经过离子轰击处理的有源区域边角进行氧化处理,得到硅的氧化薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对暴露出来的有源区域边角进行离子轰击在竖直方向上的入射角为:与晶圆表面垂直方向夹角为0度、7度或30度的方向。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,分别以晶圆表面两种方向的沟槽结构为X方向和Y方向,所述对暴露出来的有源区域边角进行离子轰击包括:沿X和Y的正负双方向,共进行4次离子轰击。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述对暴露出来的有源区域边角进行离子轰击包括:
选用能量为30Kev、浓度为1015的锗离子束,在竖直方向上沿与晶圆表面垂直方向为30度夹角的入射角,在水平方向上沿X和Y的正负双方向,对所述有源区域边角进行轰击。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造