[发明专利]沉淀法二氧化硅的表面处理方法及其应用有效

专利信息
申请号: 200910045579.2 申请日: 2009-01-20
公开(公告)号: CN101481549A 公开(公告)日: 2009-07-15
发明(设计)人: 贾丽亚;杨一力;李培 申请(专利权)人: 蓝星有机硅(上海)有限公司
主分类号: C09C1/28 分类号: C09C1/28;C09C3/12
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 代理人: 翟 羽
地址: 201108上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 沉淀 二氧化硅 表面 处理 方法 及其 应用
【权利要求书】:

1.一种沉淀法二氧化硅的表面处理方法,其特征在于,具体步 骤为:

(1)将70~100份聚硅氧烷与增容剂在氮气气氛下去混合,其 中,增容剂占二氧化硅重量的8~20%;

所述的增容剂为六甲基二硅氮烷,且所述的聚硅氧烷为甲基聚硅 氧烷;

(2)70~100份的沉淀法二氧化硅采用分步渐次减少的加料法加 入,每次加料搅拌时间为20~60分钟,得到混合物,混合物在130℃ 以下反应3~12小时;

(3)将步骤(2)得到的混合物进行抽真空,温度为130~160℃, 时间为3~12小时;将反应性的端羟基聚硅氧烷加入,搅拌均匀;得 到的悬浮液再经三辊机研磨,得到均匀的二氧化硅及聚硅氧烷的悬浮 液。

2.如权利要求1所述的沉淀法二氧化硅的表面处理方法,其特征 在于,在所述的步骤(2)中,加料搅拌时间为30分钟,混合物的反 应时间为10小时。

3.如权利要求1所述的沉淀法二氧化硅的表面处理方法,其特征 在于,在所述的步骤(3)中,温度为140℃,时间为12小时。

4.如权利要求1或2所述的沉淀法二氧化硅的表面处理方法,其 特征在于,在所述的步骤(2)中,混合物在120~130℃下反应。

5.如权利要求1所述方法表面处理后的沉淀法二氧化硅在液体型 聚硅氧烷体系中的应用,其特征在于,在所述二氧化硅及聚硅氧烷的 悬浮液中加入填料,再加入交联剂,制备出液体硅橡胶产品。

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