[发明专利]一种曝光方法

权利要求书

1.一种曝光方法，其特征在于，包括，

提供布局图；

利用布局图的图形信息生成第一曝光条件和第二曝光条件；

针对所述第一曝光条件形成第一模型，针对所述第二曝光条件形成第二模型；

对第一模型和第二模型进行曝光实验，获得第一曝光剂量和第二曝光剂量；

根据第一模型和第二模型生成与前述布局图相对应的模型，并根据所述生成的模型和第一曝光剂量生成第三曝光剂量，根据所述生成的模型和第二曝光剂量生成第四曝光剂量；

利用所述与前述布局图相对应的模型制备得到掩膜版；

对待曝光的晶圆按照第一曝光条件和第三曝光剂量进行曝光；

对所述曝光后的晶圆按第二曝光条件和第四曝光剂量进行曝光。

2.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述利用布局图的图形信息生成第一曝光条件和第二曝光条件包括，对布局图的图形进行解析；根据解析获得的图形信息进行曝光分析；对所述曝光分析中形成的各种曝光条件组合进行比较，选择第一曝光条件和第二曝光条件。

3.根据权利要求2所述的曝光方法，其特征在于，所述布局图的图形包括多个图形。

4.根据权利要求2所述的曝光方法，其特征在于，所述图形信息为所述布局图中的节距。

5.根据权利要求2所述的曝光方法，其特征在于，所述的曝光分析包括实际曝光或者模拟曝光。

6.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述针对所述第一曝光条件形成第一模型，针对所述第二曝光条件形成第二模型的过程包括，光学邻近修正系统接收第一曝光条件，形成第一曝光模型；光学邻近修正系统接收第二曝光条件，形成第二曝光模型。

7.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述第三曝光剂量＝n×第一曝光剂量；所述第四曝光剂量＝m×第二曝光剂量。所述n+m＝l。

8.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述对所述待曝光的晶圆按照第一曝光条件和第一曝光剂量进行曝光包括：

将所述掩膜版定位在掩膜台上；

将待曝光的晶圆定位在晶圆台上；

将所述的掩膜版与所述的晶圆对准。

9.根据权利要求8所述的曝光方法，其特征在于，所述将所述掩膜版定位在掩膜台上包括：探测放置在掩膜台上的掩膜版位置，并在所述掩膜版的位置相对于预设的掩膜版位置的偏移超出了预设的位置误差范围时调整放置在掩膜台上的掩膜版的位置。

10.根据权利要求8所述的曝光方法，其特征在于，所述将待曝光的晶圆定位在晶圆台上包括：探测放置在晶圆台上的晶圆的位置，并在所述晶圆的位置相对于预设的晶圆位置的偏移超出了预设的位置误差范围时调整所述晶圆的位置。

11.根据权利要求8所述的曝光方法，其特征在于，所述将所述的掩膜版与所述的晶圆对准包括：根据掩膜版的对准标记和晶圆的对准标记，移动掩膜台和晶圆台或者精确地移动掩膜台或晶圆台。