[发明专利]退火的检测方法有效
| 申请号： | 200910045897.9 | 申请日： | 2009-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101789384A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 何永根;周祖源 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/324;G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 退火 检测 方法 | ||
1.一种退火的检测方法，其特征在于，包括步骤：
提供至少两个具有牺牲层的半导体基底；
对至少两个半导体基底进行离子注入，所述离子注入的能量为5Kev至 10Kev，剂量为1E15Atoms/cm2至4E15Atoms/cm2；
对离子注入后的半导体基底进行退火；
测量退火后的所述半导体基底的电学参数。
2.根据权利要求1所述的退火的检测方法，其特征在于，所述离子注入 的离子为硼离子。
3.根据权利要求1所述的退火的检测方法，其特征在于，所述的离子注 入的能量为5Kev，剂量为1E15Atoms/cm2。
4.根据权利要求1所述的退火的检测方法，其特征在于，所述牺牲层的 材料为硅的氧化物。
5.根据权利要求4所述的退火的检测方法，其特征在于，所述牺牲层的 厚度为：20埃至60埃。
6.根据权利要求3所述的退火的检测方法，其特征在于，所述退火为快 速热退火。
7.根据权利要求6所述的退火的检测方法，其特征在于，所述的退火温 度为1025℃至1100℃。
8.根据权利要求4所述的退火的检测方法，其特征在于，所述提供至少 两个具有牺牲层的半导体基底的步骤包括：
提供半导体基底；
清洗所述半导体基底；
在所述半导体基底上形成牺牲层。
9.根据权利要求1所述的退火的检测方法，其特征在于，所述电学参数 包括经过离子注入和退火的所述半导体基底的电阻。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
