[发明专利]以KCdCl3纳米线为模板制备CdS或CdSe纳米管的方法无效
| 申请号： | 200910045907.9 | 申请日： | 2009-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN101475148A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 朱英杰;仝华;刘小林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;C01G11/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | kcdcl sub 纳米 模板 制备 cds cdse 方法 | ||
【权利要求书】：
1.以KCdCl3纳米线为模板制备CdS或CdSe纳米管的方法，
包括下述步骤：
(1)以氯化镉和碘化钾为反应原料，在水中溶解制成溶液，溶液的摩尔浓度在0.05至2摩尔/升，将上述溶液加入到乙醇中制备得到KCdCl3纳米线；
(2)以含S2-离子的化合物为硫源，加入到乙醇中，其浓度控制在0.01至1摩尔/升，用硒粉和硼氢化钠在乙醇溶液中反应得到Se2-为硒源，硒粉和硼氢化钠的摩尔比范围为1∶1至1∶10，得到硒源溶液的摩尔浓度在0.01至1摩尔/升之间；
(3)将步骤(1)得到的KCdCl3纳米线收集分散在乙醇中，同时加入步骤(2)得到的S2-或Se2-的乙醇溶液，反应生成CdS或CdSe纳米管。
(4)对产物进行分离、洗涤和干燥处理，干燥温度在20-100℃之间。
2.按权利要求1所述的以KCdCl3纳米线为模板制备CdS或CdSe纳米管的方法，其特征在于，氯化镉和碘化钾的摩尔比控制在1∶1至10∶1。
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