[发明专利]一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED

权利要求书

1.一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED，在蓝宝石衬底上依次向上生长有GaN成核层、非掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱有源层、p型ALGaN载流子阻挡层及p型GaN层，其特征在于，所述多量子阱有源层包括：用于释放应力的多量子阱In_xGa_1-xN/GaN层、在所述多量子阱In_xGa_1-xN/GaN层上生长的且用于提高晶体质量改善电学性质的多量子阱In_yGa_1-yN/GaN层、及在所述多量子阱In_yGa_1-yN/GaN层上生长的多量子阱In_zGa_1-zN/GaN发光层，其中0＜x≤0.1，0.1＜y≤0.2，0.2＜z＜1。

2.如权利要求1所述的高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED，其特征在于：所述多量子阱In_yGa_1-yN/GaN层由1至6个量子阱阱层厚度为1.5-5nm的量子阱组成。

3.如权利要求2所述的高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED，其特征在于：所述多量子阱In_yGa_1-yN/GaN层由4个量子阱阱层厚度为3nm的量子阱组成，其中y＝0.15。

4.如权利要求1所述的高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED，其特征在于：所述多量子阱In_xGa_1-xN/GaN层由1至6个量子阱阱层厚度为2-5nm的量子阱组成。

5.如权利要求4所述的高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED，其特征在于：所述多量子阱In_xGa_1-xN/GaN层由5个量子阱阱层厚度为3nm的量子阱组成，其中，x＝0.08。

6.如权利要求1所述的高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED，其特征在于：所述多量子阱In_zGa_1-zN/GaN发光层由4至15个量子阱阱层厚度为1-5nm的量子阱组成。

7.如权利要求6所述的高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED，其特征在于：所述多量子阱In_zGa_1-zN/GaN发光层由5个量子阱阱层厚度为2.3nm的量子阱组成，其中z＝0.25。