[发明专利]净化管路及炉管杂质的装置和方法有效
| 申请号： | 200910046890.9 | 申请日： | 2009-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101826445A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 唐兆云;何有丰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王一斌;王琦 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 净化 管路 炉管 杂质 装置 方法 | ||
1.一种净化管路和炉管杂质的装置，应用于晶圆片沉积工序结束后， 正硅酸乙酯TEOS气体管路中设置有流量控制器，其特征在于，
该装置包括：加热带和清洗气体管路；所述加热带位于所述的TEOS气 体管路外；
所述清洗气体管路、TEOS气体管路及炉管依次连接。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述加热带是一管状体， 套装于TEOS气体管路的外部。
3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述加热带是缠绕在所述 TEOS气体管路上的电阻丝。
4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述加热带是沿所述的TEOS 气体管路分布的电加热器。
5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述清洗气体管路在TEOS 气体管路的流量控制器前与所述TEOS气体管路连接。
6.一种净化管路和炉管杂质的方法，应用于晶圆片沉积工序结束后， 其特征在于，对TEOS气体管路及炉管内的TEOS气体进行加热，并在加热 的同时，向连接着流量控制器及炉管的TEOS气体管路内通入清洗气体，去 除TEOS气体。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述加热的温度在100摄 氏度至120摄氏度之间。
8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述清洗气体为氮气，流 量在30sccm至500sccm之间。
9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述加热与同时通入所述 清洗气体的时间为30分钟。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
