[发明专利]栅极及MOS晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 200910046892.8 | 申请日： | 2009-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101826457A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;黄怡;张世谋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 mos 晶体管 制作方法 | ||
1.一种栅极的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：
在半导体衬底上依次形成栅介电层、多晶硅层和腐蚀阻挡层；
采用T型掩膜方法刻蚀腐蚀阻挡层，露出多晶硅层，形成倒梯形栅极图形；
以腐蚀阻挡层为掩膜，沿倒梯形栅极图形刻蚀多晶硅层至露出栅介电层， 形成栅极，所述栅极的尺寸与倒梯形栅极图形的短边长一致。
2.根据权利要求1所述栅极的制作方法，其特征在于，所述腐蚀阻挡层的材 料为氮化硅或氮氧化硅。
3.根据权利要求2所述栅极的制作方法，其特征在于，形成腐蚀阻挡层的方 法为物理气相沉积或化学气相沉积方法。
4.根据权利要求1所述栅极的制作方法，其特征在于，形成腐蚀阻挡层之前， 还包括：在多晶硅层上形成氧化硅层，其中后续通过刻蚀氧化硅层露出多 晶硅层。
5.根据权利要求1所述栅极的制作方法，其特征在于，形成腐蚀阻挡层之前， 还包括：在多晶硅层上形成无定形碳层，其中后续通过刻蚀无定形碳层露 出多晶硅层。
6.根据权利要求1所述栅极的制作方法，其特征在于，形成腐蚀阻挡层之前， 还包括：在多晶硅层上形成无定形碳层；
在无定形碳层上形成氧化硅层。
7.一种MOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底上依次形成栅介电层、多晶硅层和腐蚀阻挡层；
采用T型掩膜方法刻蚀腐蚀阻挡层，露出多晶硅层，形成倒梯形栅极图形；
以腐蚀阻挡层为掩膜，沿倒梯形栅极图形刻蚀多晶硅层至露出栅介电层， 形成栅极，所述栅极的尺寸与倒梯形栅极图形的短边长一致；
去除腐蚀阻挡层后，依次在栅极两侧的半导体衬底中形成源漏极延伸区， 在栅极两侧形成侧墙，在栅极两侧的半导体衬底中形成源极/漏极。
8.根据权利要求7所述MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述腐蚀阻 挡层的材料为氮化硅或氮氧化硅。
9.根据权利要求8所述MOS晶体管的制作方法，其特征在于，形成腐蚀阻 挡层的方法为物理气相沉积或化学气相沉积方法。
10.根据权利要求7所述MOS晶体管的制作方法，其特征在于，形成腐蚀阻 挡层之前，还包括：在多晶硅层上形成氧化硅层，其中后续通过刻蚀氧化 硅层露出多晶硅层。
11.根据权利要求7所述MOS晶体管的制作方法，其特征在于，形成腐蚀阻 挡层之前，还包括：在多晶硅层上形成无定形碳层，其中后续通过刻蚀无 定形碳层露出多晶硅层。
12.根据权利要求7所述MOS晶体管的制作方法，其特征在于，形成腐蚀阻 挡层之前，还包括：在多晶硅层上形成无定形碳层；
在无定形碳层上形成氧化硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
