[发明专利]锆钛酸铅-铁酸钴厚膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 200910046944.1 申请日: 2009-03-03
公开(公告)号: CN101514475A 公开(公告)日: 2009-08-26
发明(设计)人: 翟继卫;莫伟锋;尚飞 申请(专利权)人: 同济大学
主分类号: C25D13/02 分类号: C25D13/02;H01L43/12;H01L43/10
代理公司: 上海光华专利事务所 代理人: 许亦琳
地址: 200092上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 锆钛酸铅 铁酸钴厚膜 制备 方法
【权利要求书】:

1、一种锆钛酸铅-铁酸钴厚膜的制备方法,包括如下步骤:

1)先将锆钛酸铅粉体、铁酸钴粉体混合并分散于分散介质中制成悬浮液;

2)将电极放置在悬浮液中,保持两极板平行;

3)在恒电场条件下,电泳沉积获得厚膜;

4)将电泳完毕后所得厚膜进行等静压处理;

5)将经过等静压处理的厚膜在高温环境下热处理,制得锆钛酸铅-铁酸钴厚膜。

2、如权利要求1所述的锆钛酸铅-铁酸钴厚膜的制备方法,其特征在于,步骤1)中所述锆钛酸铅粉体占粉体总摩尔数的比例为10%~90%。

3、如权利要求1所述的锆钛酸铅-铁酸钴厚膜的制备方法,其特征在于,步骤1)中所述锆钛酸铅粉体和铁酸钴粉体的粒径范围为60-80nm。

4、如权利要求1所述的锆钛酸铅-铁酸钴厚膜的制备方法,其特征在于,步骤1)中所述分散介质为正丁醇或者乙酰丙酮。

5、如权利要求1所述的锆钛酸铅-铁酸钴厚膜的制备方法,其特征在于,步骤2)中所述电极为贵金属铂金电极,或者镀有耐高温电极的氧化铝基片。

6、如权利要求1所述的锆钛酸铅-铁酸钴厚膜的制备方法,其特征在于,步骤3)中所述恒电场条件是指恒电压或者恒电流条件。

7、如权利要求1所述的锆钛酸铅-铁酸钴厚膜的制备方法,其特征在于,步骤4)中所述等静压处理是指将制品放置到密闭的容器内,向制品施加压强范围为100-200Mpa的各向同等的压力。

8、如权利要求1所述的锆钛酸铅-铁酸钴厚膜的制备方法,其特征在于,步骤5)中所述热处理的温度为700℃~1100℃,热处理时间为30-60分钟。

9、如权利要求1所述的锆钛酸铅-铁酸钴厚膜的制备方法,其特征在于,步骤5)中所述锆钛酸铅-铁酸钴厚膜的厚度为5-10μm。

10、一种锆钛酸铅-铁酸钴厚膜,由权利要求1-9中任一权利要求所述的制备方法制得。

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