[发明专利]光子晶体耦合窄带响应量子阱红外探测器无效
| 申请号： | 200910046994.X | 申请日： | 2009-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN101494243A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 陆卫;林乐;王健;甄红楼;李宁;陈平平;李天信;李志锋;陈效双 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/036 | 分类号： | H01L31/036;G02B6/12 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 郭 英 |
| 地址： | 20008*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光子 晶体 耦合 窄带 响应 量子 红外探测器 | ||
【权利要求书】：
1.一种光子晶体耦合窄带响应量子阱红外探测器，其特征在于：所述的红外探测器上嵌套有二维分布的作为耦合单元的光子晶体。
2.根据权利要求1所述的一种光子晶体耦合窄带响应量子阱红外探测器，其特征在于：所述的光子晶体的结构为：
晶格常数：ax＝ay＝λ/3μm；
介质圆柱的直径：D＝0.4axμm；
介质圆柱孔洞刻蚀深度：T1＜H＜T2；
其中λ为探测器响应的中心波长，T1为发射极n型掺杂GaAs层(1)和Al0.15Ga0.85As势垒层(2)的厚度之和，T2为发射极n型掺杂GaAs层(1)、Al0.15Ga0.85As势垒层(2)以及多量子阱层(3)的厚度之和。
3.根据权利要求1所述的一种光子晶体耦合窄带响应量子阱红外探测器，其特征在于：所述的红外探测器为GaAs/AlGaAs多量子阱探测器。
4.根据权利要求1所述的一种光子晶体耦合窄带响应量子阱红外探测器，其特征在于：所述的光子晶体介质圆柱孔洞的填充材料是二氧化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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