[发明专利]一种利用NandFlash总线扩展T卡的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种扩展T卡的方法，特别涉及一种利用NandFlash总线扩展T 卡的方法。

背景技术

随着多媒体技术的发展，手机内部的存储空间已经无法满足实际应用的需 求，采用T卡(T-Flash卡)进行存储空间的扩展是一种很好的解决方案。但是 当前很多的手机芯片方案当中，CPU具有NandFlash控制器的接口，却没有T卡 的接口。

针对这种CPU，如何进行T卡的拓展，是一个需要解决的问题。

发明内容

为了解决上述问题，针对不包含T卡接口的CPU，本发明提供了一种利用 NandFlash控制器总线扩展T卡的方法。该方法将T卡接在NandFlash控制器的 总线上，巧妙利用NandFlash的时序匹配T卡的时序，从而完成CPU对完成T 卡的相关操作。该方法还可以利用NandFlash控制器的内部缓存和DMA(Direct  Memory Access)控制器，完成T卡的高速操作。其中，所述NandFlash控制器 总线包含读使能信号、写使能信号和数据线，所述T卡包含时钟信号、命令应答 信号和数据线该方法包括以下步骤：

(1)插入T卡，其中所述NandFlash控制器总线的读使能信号和写使能信 号通过一个与门输出连接在所述T卡的时钟信号上，所述T卡的命令应答信号和 所述T卡的数据线都连接在所述NandFlash控制器总线的数据线上；

(2)从T卡读取数据：CPU通过NandFlash控制器总线向所述T卡发送一 个读数据命令，并查询所述T卡的命令应答信号和数据线的状态，如果所述T 卡的命令应答信号为低电平(设低电平为NandFlash控制器总线读数据时的电平 状态)，CPU可以通过NandFlash控制器总线从所述T卡读取命令应答；如果所 述T卡的数据线均为低电平，则CPU可以通过所述NandFlash控制器总线从所述 T卡中读取数据；

(3)向T卡写入数据：CPU通过NandFlash控制器总线向所述T卡发送一 个写数据命令，并查询命令应答信号的状态，如果该命令应答信号为低电平(设 低电平为NandFlash控制器总线写数据时的电平状态)，那么CPU可以通过 NandFlash控制器总线向所述T卡读取命令应答，该命令应答被接受后，CPU通 过NandFlash控制器总线向所述T卡发送数据。

其中，(2)中可以利用NandFlash控制器内部缓存和DMA控制器从T卡中读 取数据，(3)中可以利用NandFlash控制器内部缓存和DMA控制器向T卡中写入 数据。

本发明将结合实施例及附图进行详细说明，以便对本发明的目的，特征及优 点进行更深入的理解。

附图说明

图1是本发明的硬件框图。

图2是NandFlash总线的读数据和写数据的时序图。

图3是从T卡读数据的时序图。

图4是向T卡写数据的时序图。

图中：

S：Startbit

T：Transmit Bit

P：One cycle Pull-up

E：End bit

Z：High impedance state

D：databit

X：Don′t care data bits

*：repeater

CRC：cyclic redundancy check bits

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式做进一步详细的说明，但不 应以此限制本发明的保护范围。

如图1所示，NandFlash控制器总线1的读使能信号(cWE)11和写使能信号 (cRE)12通过一个与门3之后连接T卡2的时钟信号(CLK)21，NandFlash总线l 的数据线的第4位(D4)13连接T卡2的命令应答信号(CMD)22，NandFlash控 制器总线1的数据线的低4位(D[3..0])14连接T卡2的数据总线(D′[3..0]) 24。