[发明专利]一种氮掺杂氧化锌p型稀磁半导体材料的制备方法无效
| 申请号： | 200910049021.1 | 申请日： | 2009-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN101599363A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 林文松 | 申请（专利权）人： | 上海工程技术大学 |
| 主分类号： | H01F41/18 | 分类号： | H01F41/18;H01F10/193;H01F1/40 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 | 代理人： | 段崇雯 |
| 地址： | 200336*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化锌 型稀磁 半导体材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮掺杂氧化锌p型稀磁半导体材料的制备方法，包括如下步骤：1)采用反应磁控溅射方法在衬底上交替沉积ZnO和Zn3N2薄层，制备ZnO/Zn3N2多层膜，2)将ZnO/Zn3N2多层膜在含有氧气的气氛下进行退火处理，完成制备氮掺杂氧化锌p型稀磁半导体材料，其特征在于：
采用纯度为99.9％Zn作为靶材，溅射沉积ZnO及Zn3N2时采用的溅射气氛分别为纯度99.99％的高纯Ar和纯度99.99％的O2的混合气体、以及纯度为99.99％的高纯Ar和N2的混合气体，衬底为硅、载玻片或石英玻璃，等本底真空达到1×10-4Pa后，衬底温度为20～300℃，气体经输入系统混合均匀后流入溅射系统，在1～2Pa压强下，溅射功率100～120W，在基片上交替沉积ZnO及Zn3N2各若干层，每层溅射时间3～10分钟；将所得到的ZnO/Zn3N2多层膜样品在300～500℃含氧气氛中氧化退火0.5～3小时。
2.根据权利要求1所述的氮掺杂氧化锌p型稀磁半导体材料的制备方法，其特征在于：
所述氮掺杂氧化锌为c轴择优取向的晶态薄膜。
3.根据权利要求1所述的氮掺杂氧化锌p型稀磁半导体材料的制备方法，其特征在于：
氩气和氧气或氮气的分压比为(9-8)∶(1-2)。
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