[发明专利]光刻技术中对准信号的处理方法有效
申请号: | 200910049046.1 | 申请日: | 2009-04-09 |
公开(公告)号: | CN101587306A | 公开(公告)日: | 2009-11-25 |
发明(设计)人: | 李运锋;王海江;赵新;陈延太;韦学志 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备有限公司 |
主分类号: | G03F9/00 | 分类号: | G03F9/00;G03F7/20 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人: | 屈 蘅;李时云 |
地址: | 201203上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光刻 技术 对准 信号 处理 方法 | ||
1.一种光刻技术中对准信号的处理方法,包括:
采集对准标记所产生的粗对准信号和精对准信号,分别对所述粗对准信号和精对准信号进行信号处理,获得粗对准位置与精对准信号的峰值点,以确定对准位置;
其特征在于,所述粗对准信号处理包括信号分段归纳与峰值位置估计过程,用以确定拟合数据窗口;根据所述拟合数据窗口内的光强与位置采样,使用粗对准拟合模型,以获得模型参数;
所述确定拟合数据窗口的方法为:取粗对准信号峰值所在的分段和左右邻近一段或几段合并为拟合数据窗口。
2.如权利要求1所述的光刻技术中对准信号的处理方法,其特征在于,所述信号分段归纳过程包括将粗对准信号采集过程分为多段,进行后一段信号采集的同时对前一段的分段数据进行归纳处理。
3.如权利要求1所述的光刻技术中对准信号的处理方法,其特征在于,所述峰值位置估计过程包括采取三点取均值来判断光强的最大值及所在的分段。
4.如权利要求1所述的光刻技术中对准信号的处理方法,其特征在于,所述模型参数的求解采用最小二乘法。
5.如权利要求1所述的光刻技术中对准信号的处理方法,其特征在于,所述拟合模型包含所述对准标记的全部周期成分,粗对准信号中包含的频率成分与所述对准标记中包含的周期成分直接相关。
6.如权利要求1所述的光刻技术中对准信号的处理方法,其特征在于,所述粗对准信号包括工件台的位置数据和粗对准光强信号,所述精对准信号包括工件台的位置数据和精对准光强信号。
7.如权利要求1所述的光刻技术中对准信号的处理方法,其特征在于,确定所述精对准信号的峰值点的方法包括:
对采集的精对准信号进行化简归纳;
精对准信号模型拟合;以及计算精对准信号的峰值点。
8.如权利要求7所述的光刻技术中对准信号的处理方法,其特征在于,所述精对准信号模型拟合利用最小二乘法。
9.如权利要求7所述的光刻技术中对准信号的处理方法,其特征在于,所述精对准信号模型拟合包括计算出模型中的波峰点,而每一个波峰点即为精对准信号的峰值点。
10.如权利要求1所述的光刻技术中对准信号的处理方法,其特征在于,以所述粗对准位置为基准,寻找所述精对准信号±1/2周期范围内所对应的一个峰值位置,该位置即为最终确定的对准位置。
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