[发明专利]槽刻蚀及多晶硅注入工艺

权利要求书

1.一种槽刻蚀及多晶硅注入工艺，在衬底上开槽并注入多晶硅，其特征在于，包括：

在衬底上生长氧化层作为阻挡层；

在需要开槽的区域进行光刻版定义；

用光刻工艺在衬底上进行开槽；

使用不产生聚合物的光硅刻蚀工艺进行槽表面光滑处理；

在槽的表面生长牺牲氧化层，并使用湿法刻蚀除去牺牲氧化层；

使用氢气作为携带气体，在槽中进行多晶硅沉积；

进行硅回刻工艺除去多余的多晶硅。

2.如权利要求1所述的槽刻蚀及多晶硅注入工艺，其特征在于，在除去牺牲氧化层后进行多晶硅沉积之前，还包括对槽进行清洗，并将清洗后的槽暴露于空气中预定的时间。

3.如权利要求1所述的槽刻蚀及多晶硅注入工艺，其特征在于，在进行多晶硅沉积之后，进行硅回刻工艺之前，还包括进行高温快速退火以激活多晶硅中掺入的杂质。

4.如权利要求1所述的槽刻蚀及多晶硅注入工艺，其特征在于，所述多晶硅与衬底是相反类型的材料。