[发明专利]防止铝焊盘腐蚀的方法以及铝焊盘的制作工艺无效
| 申请号： | 200910049280.4 | 申请日： | 2009-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101866822A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 钱洪涛;吕秋玲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/768;H01L21/3213;B08B3/08 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防止 铝焊盘 腐蚀 方法 以及 制作 工艺 | ||
1.一种防止铝焊盘腐蚀的方法，包括：
提供铝焊盘，所述铝焊盘上残留有干法刻蚀的刻蚀剂；清洗所述铝焊盘；对所述的铝焊盘进行烘烤。
2.根据权利要求1所述的防止铝焊盘腐蚀的方法，其特征在于，所述烘烤工艺在清洗所述焊盘之后4小时内进行。
3.根据权利要求1所述的防止铝焊盘腐蚀的方法，其特征在于，所述烘烤工艺的烘烤温度为100～400摄氏度。
4.根据权利要求1所述的防止铝焊盘腐蚀的方法，其特征在于，清洗所述铝焊盘的清洗液含有H2SO4，H2O，HF。
5.根据权利要求1所述的防止铝焊盘腐蚀的方法，其特征在于，所述烘烤时间为10秒至30分钟。
6.一种铝焊盘的制作工艺，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底的主动表面上具有金属互连线；
在所述互连线上形成绝缘材料层，并刻蚀绝缘材料层在与金属互连线对应的位置形成开口；
在所述开口内以及绝缘材料层上形成金属铝层；
干法刻蚀金属铝层，形成与金属互连线电连接的铝焊盘；
清洗所述铝焊盘；对所述的铝焊盘进行烘烤。
7.根据权利要求6所述的铝焊盘的制作工艺，其特征在于，所述烘烤工艺在清洗所述焊盘之后4小时内进行。
8.根据权利要求6所述的铝焊盘的制作工艺，其特征在于，所述烘烤工艺的烘烤温度为100～400摄氏度。
9.根据权利要求6所述的铝焊盘的制作工艺，其特征在于，清洗所述铝焊盘的清洗液含有H2SO4，H2O，HF。
10.根据权利要求6所述的铝焊盘的制作工艺，其特征在于，所述烘烤时间为10秒至30分钟。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
