[发明专利]离子扩散及半导体器件形成的方法有效
| 申请号： | 200910049561.X | 申请日： | 2009-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN101866837A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 王津洲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子 扩散 半导体器件 形成 方法 | ||
1.一种离子扩散的方法，其特征在于，包括：
向待注入层内注入离子，形成离子注入层；
将离子注入层放入超声波液体槽内，使离子扩散均匀。
2.如权利要求1所述离子扩散的方法，其特征在于，所述液体槽是水槽、酒精槽、含盐量为3.5％的海水槽。
3.如权利要求2所述离子扩散的方法，其特征在于，所述液体槽内的温度为0℃～30℃。
4.如权利要求1所述离子扩散的方法，其特征在于，超声波在液体槽内的速率为1100m/s～1600m/s。
5.如权利要求4所述离子扩散的方法，其特征在于，超声波液体槽的振动频率为100KHz～200MHz。
6.如权利要求1所述离子扩散的方法，其特征在于，离子扩散时间为10微秒～20秒。
7.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底上依次形成栅介质层与栅极，所述栅介质层与栅极构成栅极结构；
以栅极结构为掩模，在栅极两侧的半导体衬底内进行离子注入，形成源/漏极延伸区；
将形成有源/漏极延伸区的半导体衬底放入超声波液体槽内，使离子扩散均匀；
在栅极结构两侧形成侧墙后，在栅极结构及侧墙两侧的半导体衬底内进行离子注入，形成源/漏极；
将形成有源/漏极的半导体衬底放入超声波液体槽内，使离子扩散均匀。
8.如权利要求7所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述液体槽是水槽、酒精槽、含盐量为3.5％的海水槽。
9.如权利要求8所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述液体槽内的温度为0℃～30℃。
10.如权利要求7所述半导体器件的形成方法，其特征在于，超声波在液体槽内的速率为1100m/s～1600m/s。
11.如权利要求10所述半导体器件的形成方法，其特征在于，超声波液体槽的振动频率为100KHz～200MHz。
12.如权利要求7所述半导体器件的形成方法，其特征在于，离子扩散时间为10微秒～20秒。
13.如权利要求7所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述源/漏极延伸区或源/漏极导电类型为n型，注入离子是n型离子。
14.如权利要求13所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述n型离子为磷离子或砷离子。
15.如权利要求7所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述源/漏极延伸区或源/漏极导电类型为p型，注入离子是p型离子。
16.如权利要求15所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述p型离子为硼离子、氟硼离子或铟离子。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
