[发明专利]一种在掺硼金刚石基底上生长直立三维网状贵金属纳米片的方法

权利要求书

1.一种在掺硼金刚石基底上生长直立三维网状贵金属纳米片的制备方法，其特征在于：首先在电化学技术中利用电沉积时在掺硼金刚石薄膜基底材料表面产生的氢气泡作为动力学模板，从而获得直立三维网络状纳米Zn片；然后，在化学方法过程中利用直立三维网络状Zn纳米片做模板，通过取代反应，利用将高价贵金属置换直立三维网络状Zn纳米片从而获得掺硼金刚石薄膜上直立的三维网络状贵金属纳米片。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：包括以下步骤：

a)将高掺硼金刚石在王水中热处理，然后在硫酸中阳极化处理，清洗干净，获得亲水表面的掺硼金刚石；

b)配制电解液，溶质为ZnCl₂和支持电解质，溶剂为水，并加入硼酸；

c)以步骤(a)中的掺硼金刚石为工作电极，铂片为对电极进行恒电流阴极还原处理，即可在掺硼金刚石表面获得直立三维网络状Zn纳米片；

d)将步骤(c)制备得到的修饰电极浸渍到含高价活泼贵金属元素的单组分盐溶液中进行取代反应，便可实现在掺硼金刚石表面生长直立三维网络状贵金属纳米片。

3.如权利要求2所述方法，其特征在于：步骤(a)中的高掺硼金刚石是在高纯硅片上通过微波辅助气相沉积获得。

4.如权利要求2所述方法，其特征在于：步骤(a)中将高掺硼金刚石在摄氏温度70-90度王水中热处理5-10分钟，然后在0.5-1.5mol/L的硫酸中2.8-3.2V阳极化处理45-60分钟。

5.如权利要求2所述方法，其特征在于，步骤(b)中ZnCl₂的浓度为0.5-1mol/L，支持电解质为3-6mol/L KCl；硼酸添加剂为0.25-1mol/L。

6.如权利要求2所述方法，其特征在于，步骤(c)中工作电极和对电极间距为1-2cm，阴极电流密度为0.1-0.2Acm^-2，电化学反应时间为20-30s。

7.如权利要求2所述方法，其特征在于，步骤(d)中处理温度为常温，处理时间为4-8h。