[发明专利]太阳能电池与高能量密度存储器的集成及其制造方法无效
申请号: | 200910049903.8 | 申请日: | 2009-04-24 |
公开(公告)号: | CN101540334A | 公开(公告)日: | 2009-09-23 |
发明(设计)人: | 杨明 | 申请(专利权)人: | 杨明 |
主分类号: | H01L27/142 | 分类号: | H01L27/142;H01L21/84 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 范 晴 |
地址: | 313100浙江省湖州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 高能量 密度 存储器 集成 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池与高能量密度存储器的集成装置及其制造方法。
背景技术
目前电能贮存用的最多的是蓄电池。铅酸蓄电池的发明已有100多年的历史,它利用化学能和电能的可逆转换,实现充电和放电,铅酸蓄电池价格较低,但使用寿命短,重量大,需要经常维护。近年来以锂电池、燃料电池为代表的新型电池是发展能源技术的主力军,但这些电池存在着使用寿命短,对环境有污染等缺点。除了环境有害方面的缺点以外,体积庞大也是大容量的超级电容器存在的主要问题之一,如近年来多层陶瓷电容器(MLC)技术目前虽然有许多进展,但目前仍无法做到足够小体积和足够大的电容值来满足日益发展的电子线路高密度需求。
能量存储器可用于与太阳能电池配套来储存电能,现有技术中太阳能电池装置除了太阳能电池以外,还需要另外配备能量存储器来存储太阳能电池转化的电能,能量存储器与太阳能电池是分离的,这样的结构增大了太阳能电池装置的体积,不方便运输和安装;同时太阳能电池与能量存储器之间的连接不够可靠。
发明内容
本发明的目的是提供一种太阳能电池与高能量密度存储器的集成装置及其制造方法,其将太阳能电池与高能量密度存储器高度集成,一方面减小了太阳能电池装置的体积,方便运输和安装;另一方面太阳能电池与能量存储器之间结合紧密,结构更加牢固可靠。
本发明的技术方案是:
一种太阳能电池与高能量密度存储器的集成装置,包括太阳能电池和供太阳能电池储存电能的高能量密度存储器,所述高能量密度存储器包括镀设于太阳能电池的背光侧表面的绝缘衬底、所述衬底表面设有若干向内凹陷的小槽,所述衬底表面还设有若干电极层、以及分别间隔设置于每相邻两电极层之间的若干高介电常数介质层,所述电极层和介质层与小槽位置对应的部分填充于小槽内。
一种太阳能电池与高能量密度存储器的集成装置的制造方法,包括以下步骤:
a)首先加工太阳能电池;
b)在太阳能电池的背光侧表面加工一层绝缘衬底;
c)在绝缘衬底的外侧面加工凹陷小槽;
d)于衬底以及小槽的表面加设一层导电薄膜形成电极层;
e)于电极层表面加设一层高介电常数介质薄膜形成介质层;再于上述介质层表面加设一层电极层;
f)根据所需要加工的层数重复上述步骤e)。
本发明进一步的技术方案是:一种太阳能电池与高能量密度存储器的集成装置,包括太阳能电池和供太阳能电池储存电能的高能量密度存储器,所述高能量密度存储器包括镀设于太阳能电池的背光侧表面的绝缘氧化物衬底、所述衬底表面设有若干向内凹陷的小槽,所述衬底表面还设有若干电极层、以及分别间隔设置于每相邻两电极层之间的若干高介电常数介质层,所述电极层和介质层与小槽位置对应的部分填充于小槽内;上述的小槽可以通过光刻加工,小槽的直径可以达到0.1微米左右,相邻小槽之间的间距也可设置为0.1微米,使得其在衬底表面的分布密度可以达到上亿个/平方厘米。若小槽的直径更小时,则其分布密度更高;当小槽直径较大时,也可采取模具等其它方法加工小槽,此时其分布密度就会较低。这样高密度分布的小槽加大了衬底表面的表面积,使之可以达到原来所占面积的几百倍甚至上千倍,从而使得形成的存储器具有超大密度的能量存储性能。上述电极层可以是铜、白金、铅或其它金属材料,可以为厚度仅300埃米-2000埃米的金属薄膜。上述介质层可以是任何具有高介电常数的电介质,可以为厚度100埃米-1000埃米的薄膜。当然,如果小槽比较大,而且对存储器的能量存储要求不同,和在需要较高的工作电压和电流情况下,也可根据需要将电极层和介质层做地厚一点,层数少一点。
所述太阳能电池包括透光基板、依次设于基板上的透明向光导电膜、发电层以及背光导电膜,所述高能量密度存储器的衬底设于背光导电膜的背光一侧;所述太阳能电池包括基板、依次设于基板上的背光导电膜、发电层以及透明向光导电膜,所述高能量密度存储器的衬底设于基板的背光一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的