[发明专利]金属层表面处理方法无效
| 申请号： | 200910049995.X | 申请日： | 2009-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101872722A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 周俊;赵东涛;李彬;谭宇琦 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;B08B3/08 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 表面 处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种金属层表面处理方法，包括：
提供一具有金属层的半导体衬底；以及
使用弱酸溶液清洗所述金属层表面。
2.如权利要求1所述的金属层表面处理方法，其特征在于，所述弱酸的PH值介于5～7。
3.如权利要求1所述的金属层表面处理方法，其特征在于，所述弱酸为碳酸。
4.如权利要求1所述的金属层表面处理方法，其特征在于，所述清洗时间为20秒～50秒。
5.如权利要求1所述的金属层表面处理方法，其特征在于，在清洗所述金属层表面后，还包括：
在所述金属层上沉积阻挡层。
6.如权利要求1所述的金属层表面处理方法，其特征在于，所述阻挡层为氮化硅层。
7.如权利要求1所述的金属层表面处理方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度为450埃～550埃。
8.如权利要求1所述的金属层表面处理方法，其特征在于，所述阻挡层通过物理气相沉积或化学气相沉积方式形成。
9.如权利要求1所述的金属层表面处理方法，其特征在于，所述金属层具有平坦表面。
10.如权利要求1所述的金属层表面处理方法，其特征在于，所述金属层为铜金属层。
11.如权利要求1所述的金属层表面处理方法，其特征在于，所述金属层的厚度为4000埃～5000埃。
12.如权利要求1所述的金属层表面处理方法，其特征在于，所述金属层通过物理气相沉积、化学气相沉积或电镀方式形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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