[发明专利]一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料及应用有效
| 申请号： | 200910050392.1 | 申请日： | 2009-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101546810A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 顾怡峰;宋志棠;张挺;刘波;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C22C12/00;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 | 代理人： | 黄志达;宋 缨 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 含锗锑硒 多级 电阻 转换 存储 材料 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料，其组分由锗、锑、硒三种元素组成，其中锗、 锑、硒三种元素的原子百分比依次为0.01～20∶70～99.9∶0.01～15。
2.一种如权利要求1所述的含锗锑硒的多级电阻转换存储材料应用于电编程的电阻转换存 储器。
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