[发明专利]晶圆背面粗糙处理的方法无效
| 申请号： | 200910050695.3 | 申请日： | 2009-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN101882577A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 陈泰江;江彤;吕隆 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/306;H01L21/00;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背面 粗糙 处理 方法 | ||
1.一种晶圆背面粗糙处理的方法，其特征在于包括下列步骤：
将上述晶圆正面贴膜并对上述晶圆背面进行研磨处理；
对上述晶圆背面进行湿式化学蚀刻处理；
将上述晶圆背面进行水洗烘干处理，
其中上述湿式化学蚀刻处理步骤所使用的化学蚀刻剂包括H2SO4、KNO3以及NH4HF。
2.根据权利要求1所述的晶圆背面粗糙处理的方法，其特征在于所述化学蚀刻剂由27～33L质量百分比浓度为98％的H2SO4加上3～4kg的KNO3和1.8～2.2kg的NH4HF混合而成。
3.根据权利要求1所述的晶圆背面粗糙处理的方法，其特征在于使用化学蚀刻剂处理晶圆的时间为10～15分钟，温度为20～25摄氏度。
4.根据权利要求1所述的晶圆背面粗糙处理的方法，其特征在于所述湿式化学蚀刻处理步骤还包括将上述晶圆放入质量百分比浓度为4％的KOH溶液中处理，之后再将晶圆放入体积百分比浓度为0.9∶100～1.1∶100的HF溶液中处理。
5.根据权利要求3所述的晶圆背面粗糙处理的方法，其特征在于所述使用KOH溶液处理晶圆的时间为10～20秒，温度为60～80摄氏度。
6.根据权利要求3所述的晶圆背面粗糙处理的方法，其特征在于所述使用HF溶液处理晶圆的时间为2～4分钟，温度为20～25摄氏度。
7.根据权利要求1所述的晶圆背面粗糙处理的方法，其特征在于所述水洗处理步骤为将晶圆使用去离子水进行冲洗，处理时间为10～15分钟。
8.根据权利要求1所述的晶圆背面粗糙处理的方法，其特征在于所述烘干步骤的处理时间为10～15分钟，温度为80～100摄氏度。
9.根据权利要求1所述的晶圆背面粗糙处理的方法，其特征在于该方法还包括对上述晶圆进行金属蒸镀处理，
在晶圆背面依次镀上Ti、Ni和Ag金属或者Ti、Ni和Au金属。
10.根据权利要求9所述的晶圆背面粗糙处理的方法，其特征在于所述蒸镀金属的厚度分别为900～1100埃、2700～3300埃和9000～11000埃。
11.根据权利要求9所述的晶圆背面粗糙处理的方法，其特征在于所述蒸镀金属的蒸镀温度为89～91摄氏度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
