[发明专利]半导体硅片的清洗方法和装置

权利要求书

1.一种利用超声波或兆声波装置清洗半导体衬底的方法，包含：

利用一个硅片夹夹住半导体衬底；

将一套超声波或兆声波装置置于接近半导体衬底的位置；

利用至少一个喷嘴将化学液体喷射到硅片衬底及半导体衬底与超声波或兆声波装置之间的间隙中。

在清洗过程中，硅片夹每旋转一圈，都要改变半导体衬底和超声波或兆声波装置之间的距离。

2.如权利要求1所述的方法，其中，通过将超声波或兆声波装置以垂直于半导体衬底的方向移动来改变间隙的大小。

3.如权利要求1所述的方法，其中，通过将硅片夹以垂直于超声波或兆声波装置的方向移动来改变间隙的大小。

4.如权利要求1所述的方法，其中，超声波或兆声波装置置于朝向并靠近半导体衬底正面的位置。

5.如权利要求1所述的方法，其中，超声波或兆声波装置置于朝向并靠近半导体衬底背面的位置。

6.如权利要求5所述的方法，其中，化学液体通过置于半导体硅片正面附近的第一个喷嘴喷射到半导体衬底正面，同时，化学液体通过置于半导体硅片背面附近的第二个喷嘴喷射到半导体衬底背面。

7.如权利要求1所述的方法，其中，硅片夹每旋转一圈，间隙增大0.5λ/N，这里λ是超声波或兆声波的波长，N是一个从2到1000的整数。

8.如权利要求1所述的方法，其中，硅片夹每旋转一圈，间隙减小0.5λ/N，这里λ是超声波或兆声波的波长，N是一个从2到1000的整数。

9.如权利要求1所述的方法，其中，在清洗过程中，间隙大小在0.5λn范围内变化，这里λ是超声波或兆声波的波长，n是从1开始的整数。

10.如权利要求1所述的方法，其中，声学仪器的声波频率是双频率。

11.如权利要求10所述的方法，其中，双频率包括一个高频f1和一个低频f2，并且f1＝M f2，这里M是从2开始的整数。

12.如权利要求11所述的方法，其中，硅片夹每旋转一圈，间隙增大0.5λ₁/N，这里λ₁是高频波的波长，N是一个从2到1000的整数。

13.如权利要求11所述的方法，其中，硅片夹每旋转一圈，间隙减小0.5λ₁/N，这里λ₁是频率为f1的高频波的波长，N是一个从2到1000的整数。

14.如权利要求11所述的方法，其中，在清洗过程中，间隙大小在0.5λ₂n范围内变化，这里λ₂是低频波的波长，n是从1开始的整数。

15.利用超声波或兆声波装置清洗半导体衬底的装置，包含：

一个夹着半导体衬底的硅片夹；

一套置于半导体衬底附近的超声波或兆声波装置；

至少有一个喷嘴将化学液体喷射到硅片衬底及半导体衬底与超声波或兆声波装置之间的间隙中；

在清洗过程中，硅片夹每旋转一圈，一个控制单元改变半导体衬底和超声波或兆声波装置之间的距离。

16.如权利要求15所述的装置，其中，通过将超声波或兆声波装置以垂直于半导体衬底的方向移动来改变间隙的大小。

17.如权利要求15所述的装置，其中，通过将硅片夹以垂直于超声波或兆声波装置的方向移动来改变间隙的大小。

18.如权利要求15所述的装置，其中，超声波或兆声波装置置于朝向并靠近半导体衬底正面的位置。

19.如权利要求15所述的装置，其中，超声波或兆声波装置置于朝向并靠近半导体衬底背面的位置。

20.如权利要求19所述的装置，其中，化学液体通过置于半导体硅片正面附近的第一个喷嘴喷射到半导体衬底正面，同时，化学液体通过置于半导体硅片背面附近的第二个喷嘴喷射到半导体衬底背面。

21.如权利要求15所述的装置，其中，硅片夹每旋转一圈，间隙增大0.5λ/N，这里λ是超声波或兆声波的波长，N是一个从2到1000的整数。