[发明专利]绝缘栅型双极晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种绝缘栅型双极晶体管，包括N衬底、P型体区以及多晶硅，其特征在于，在所述P型体区的P-区内注有P+层，且所述P+层扩散不到所述多晶硅的覆盖区域。

2.根据权利要求1所述的绝缘栅型双极晶体管，其特征在于，所述P-区的杂质离子浓度比所述P+层的杂质离子浓度低。

3.根据权利要求2所述的绝缘栅型双极晶体管，其特征在于，在所述P-区，每平方厘米的硅片上分布有4×10¹³个硼离子。

4.根据权利要求3所述的绝缘栅型双极晶体管，其特征在于，在所述P+层，每平方厘米的硅片上分布有5×10¹⁴个硼离子。

5.一种绝缘栅型双极晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在多晶硅刻蚀完成后，进行P-离子注入；

在绝缘栅型双极晶体管的表面沉积一层氧化物；

用干法刻蚀所述氧化物层，在多晶硅的边缘处形成侧壁；

进行P+离子注入；

进行杂质推进，使P-离子扩散到多晶硅的下方。

6.根据权利要求5所述的绝缘栅型双极晶体管的制作方法，其特征在于，所述氧化物为二氧化硅。

7.根据权利要求5所述的绝缘栅型双极晶体管的制作方法，其特征在于，所述P-离子的浓度比所述P+离子的浓度低。

8.根据权利要求7所述的绝缘栅型双极晶体管的制作方法，其特征在于，所述进行P-离子注入为：使用50KeV的能量将硼离子以4×10¹³/cm²的密度注入到硅衬底表面。

9.根据权利要求8所述的绝缘栅型双极晶体管的制作方法，其特征在于，所述进行P+离子注入为：使用70KeV的能量将硼离子以5×10¹⁴/cm²的密度注入到硅衬底表面。