[发明专利]电磁场辅助的金属有机物化学气相沉积

权利要求书

1.一种电磁场辅助的金属有机物化学气相沉积设备，包括：反应腔、喷淋口装置、喷淋冷却液体进口、衬底载片台、石墨盘、石墨盘支承轴、电极，其特征在于：在金属有机物化学气相沉积设备的喷淋口上增设上电极，在石墨盘侧边或底边增设下电极，上电极与下电极构成平板电容结构，形成垂直于衬底表面的电场。

2.根据权利要求1所述的电磁场辅助的金属有机物化学气相沉积设备，其特征在于所述上电极、下电极由高熔点金属材料制成，下电极制作成一个圆环或者多匝线圈安装在石墨盘的侧边或底边。

3.根据权利要求2所述的电磁场辅助的金属有机物化学气相沉积设备，其特征在于所述下电极制作成两个半环经耐高温绝缘环安装在石墨盘周围。

4.根据权利要求2所述的电磁场辅助的金属有机物化学气相沉积设备，其特征在于所述下电极制作成三个三分之一环形状的电极经耐高温绝缘环安装在石墨盘周围。

5.根据权利要求1所述的电磁场辅助的金属有机物化学气相沉积设备，其特征在于所述，交变电场的波形为正弦波或三角波或方波或脉冲波，输入电流源为两相交流电或多相交流电。

6.用权利要求1所述的设备控制和调节半导体外延薄膜生长极性的方法，其步骤为：

(1)将衬底送入金属有机物化学气相沉积设备中，在衬底上生长本征或掺杂III族氮化物外延薄膜材料；

(2)在生长外延薄膜的过程中，通过施加恒定或交变电场和磁场，调节外延薄膜材料极性程度，获得非极性或半极性外延材料；

(3)在生长p型或n型掺杂I I I族氮化物外延薄膜时，通过施加恒定或交变电场和磁场，调节外延薄膜极性程度，实现高掺杂效率III族氮化物外延薄膜合成。