[发明专利]晶舟有效
申请号: | 200910051563.2 | 申请日: | 2009-05-19 |
公开(公告)号: | CN101556931A | 公开(公告)日: | 2009-10-14 |
发明(设计)人: | 周维文;颜明辉 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/683 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人: | 郑 玮 |
地址: | 201203上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶舟 | ||
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,特别涉及一种用于生产晶圆的晶舟。
背景技术
随着科技的进步,半导体电子产品已经应用到社会生活的各个领域,而这 些半导体电子产品都具有半导体晶片,由此可见,半导体晶片在当今生活中具 有非常显著的重要性。
在半导体晶片的制造过程中,炉管是一个不可缺少的设备,例如其中利用 炉管的扩散制程就是一个基本制程,扩散制程中,是先将多片晶圆放置在一晶 舟上,再将晶舟放置在炉管内进行批次制造。对于半导体晶片而言,同一期间 内在一台设备制造出的晶片的质量和数量,很大程度影响到半导体晶片的出产 的良品率和制造成本。
然而,现有技术中,在制造半导体晶片的工艺流程中,有很多因素可能导 致半导体晶片的生产出现问题。请参见图1A,例如当把多片晶圆110插入到晶 舟100的晶圆槽120时,由于晶圆110与晶圆槽120之间有摩擦,会产生微小 的颗粒130,晶舟竖直放置,由于重力的作用,当抽取晶圆110时,晶圆110与 晶圆槽120摩擦产生的颗粒130,会掉落到下面的晶圆110上,这就会导致微小 的颗粒130污染晶圆110的表面,请参见图1B,其所示为受到颗粒130污染的 晶圆110,进而会导致后续的制造工序不能正常进行,影响产品的良品率、增加 制造成本。
发明内容
本发明旨在解决现有技术中,晶圆放置在晶舟中,由于摩擦产生的微小颗 粒造成晶圆的污染的技术问题。
有鉴于此,本发明提供一种晶舟,包括:多个晶圆槽,分别包括多个支撑 部,用于支撑晶圆;所述支撑部,包括:第一支撑块;以及第二支撑块;其中 所述第二支撑块设置于所述第一支撑块上,且小于所述第一支撑块。
进一步的,所述第二支撑块与所述第一支撑块位于所述第一支撑块的上支 撑面内。
进一步的,所述多个晶圆槽相互平行设置且间隔相同。
本发明所提供的晶舟可在不影响晶圆制程均匀度、不减少晶舟放置晶圆数 量的前提下,避免晶圆与晶舟摩擦产生的微小颗粒污染晶圆,保证晶圆的洁净 度,进一步保证了后续工艺设备的正常运作,确保了产品的良品率,降低了制 造成本。
附图说明
图1A所示为现有技术中所使用的晶舟导致灰尘颗粒污染晶圆的示意图;
图1B所示为受到颗粒污染的晶圆的示意图;
图2所示为本发明一实施例提供的晶舟的示意图;
图3所示为本发明一实施例提供的晶舟的支撑部的示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、特征更明显易懂,给出较佳实施例并结合附图,对本 发明作进一步说明。
请参加图2,其所示为本发明一实施例提供的晶舟的示意图。该晶舟200, 包括:多个晶圆槽210,分别包括多个支撑部220,用于支撑晶圆;所述支撑部 220,包括:第一支撑块222;以及第二支撑块221;其中所述第二支撑块221 设置于所述第一支撑块222上,且小于所述第一支撑块222。
在本实施例中,当把多片晶圆插入到晶舟200的晶圆槽210时,由于晶圆 与晶圆槽210之间有摩擦,会产生微小的颗粒,晶舟竖直放置,由于重力的作 用,当抽取晶圆时,晶圆与晶圆槽210的支撑部220的第二支撑块221的上支 撑面接触摩擦产生的颗粒,由于第一支撑块222大于第二支撑块221,这些颗粒 掉落到第一支撑块222的支撑面,而不会掉落到下面的晶圆上,这就保证了晶 圆表面的洁净。
在本实施例中,所述第二支撑块221与所述第一支撑块222位于所述第一 支撑块222的支撑面内,以保证颗粒完全被第一支撑块222的支撑面收集到。
在本实施例中,所述多个晶圆槽210相互平行设置,且间隔相同,这就保 证了晶圆放置的数量和均匀度,在对晶圆进行加工时,使各晶圆都能处于相同 的环境,确保了晶圆的质量。
在本实施例中,请结合参见图3,其所示为本实施例提供的晶舟的支撑部的 示意图。该支撑部300,包括:第一支撑块310;以及第二支撑块320,设置于 所述第一支撑块310上,且小于所述第一支撑块310。所述第二支撑块320位于 所述第一支撑块310支撑面内。晶圆放置晶圆槽时,是由第二支撑块320的上 支撑面支撑晶圆,当抽取晶圆时,因摩擦产生的颗粒会掉落到第一支撑块310 的支撑面,而不会掉落到晶圆面上,避免了晶圆受颗粒污染,保证了晶圆的洁 净。
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