[发明专利]用于光电器件的多量子阱结构及其制造方法

权利要求书

1.一种用于光电器件的多量子阱结构，包括n个依次交叠的量子阱结构，所述量子阱结构由势垒层和势阱层依次交叠而成，所述光电器件包括N型半导体层和P型半导体层，其特征在于：

靠近N型半导体层的势阱层的厚度大于靠近P型半导体层的势阱层的厚度，且靠近N型半导体层的第m个势阱层到第n个势阱层的厚度逐次变薄，所述的m为大于0小于n的整数，所述的n为大于等于8小于20的整数；

且该势垒层为由Ga、In、Al、N组成的二元、三元、四元化合物或混合物；该势阱层为由Ga、In、Al、N组成的二元、三元、四元化合物或混合物；靠近N型半导体层的势阱层中In的组分小于靠近P型半导体层的势阱层中In的组分。

2.根据权利要求1所述的用于光电器件的多量子阱结构，其特征在于：该势阱层为In_xGa_1-xN，其中0＜x＜1。

3.根据权利要求1所述的用于光电器件的多量子阱结构，其特征在于：靠近N型半导体层的前2～10个量子阱结构所对应的势垒层中含有Si或Ge掺杂元素。

4.一种制备用于光电器件的多量子阱结构的方法，包括以下步骤：

采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术，反应室压力设定为100～700torr，利用高纯NH₃做N源，高纯N₂或H₂做载气，三甲基镓或三乙基镓做Ga源，三乙基铟做In源；在所述光电器件的N型半导体层上依次交叠生长GaN势垒层和In_xGa_1-xN势阱层；靠近N型半导体层的In_xGa_1-xN势阱层生长时间为50～200S，而靠近P型半导体层的In_xGa_1-xN势阱层生长时间为靠近N型半导体层的In_xGa_1-xN势阱层生长时间的0.5～1倍，并通过调节生长量子阱时三乙基铟的流量使靠近N型半导体层的In_xGa_1-xN势阱层中In的组分小于靠近P型半导体层的In_xGa_1-xN势阱层中In的组分。