[发明专利]电阻存储器及其制作方法无效
| 申请号： | 200910051868.3 | 申请日： | 2009-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN101894806A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 黄晓辉;季明华;宋立军;吴金刚;林殷茵 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8256 | 分类号： | H01L21/8256;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 及其 制作方法 | ||
1.一种电阻存储器的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底以及位于半导体衬底上的层间介质层；
在层间介质层内形成第一互连结构；
在第一互连结构和层间介质层上形成电阻可变存储介质层，所述电阻可变存储介质层为金属硅氧化物；
在电阻可变存储介质层上形成第二互连结构。
2.根据权利要求1所述电阻存储器的制作方法，其特征在于，所述金属硅化物是TixSiyOz、NixSiyOz、CoxSiyOz、WxSiyOz或CuxSiyOz。
3.根据权利要求1所述电阻存储器的制作方法，其特征在于，所述形成电阻可变存储介质层的工艺包括：
在第一互连结构和层间介质层上沉积金属层；
对金属层进行硅化，形成金属硅化物层；
经过氧化工艺，形成材料为金属硅氧化物的电阻可变存储介质层。
4.根据权利要求1所述电阻存储器的制作方法，其特征在于，所述形成电阻可变存储介质层的工艺包括：
在第一互连结构和层间介质层上沉积金属层；
对金属层进行氧化，形成金属氧化物层；
经过硅化工艺，形成材料为金属硅氧化物的电阻可变存储介质层。
5.根据权利要求1所述电阻存储器的制作方法，其特征在于，所述形成电阻可变存储介质层的工艺包括：
在第一互连结构和层间介质层上溅射形成金属硅化物层过程中，通入氧气，形成材料为金属硅氧化物的电阻可变存储介质层。
6.根据权利要求1所述电阻存储器的制作方法，其特征在于，所述形成电阻可变存储介质层的工艺包括：
在第一互连结构和层间介质层上沉积金属层；
向金属层内注入硅离子和氧离子；
退火工艺后，形成材料为金属硅氧化物的电阻可变存储介质层。
7.根据权利要求1所述电阻存储器的制作方法，其特征在于，所述形成电阻可变存储介质层的工艺包括：
对第一互连结构表面进行硅化，形成金属硅化物层；
经过氧化工艺后，形成材料为金属硅氧化物的电阻可变存储介质层。
8.根据权利要求1所述电阻存储器的制作方法，其特征在于，所述形成电阻可变存储介质层的工艺包括：
对第一互连结构进行氧化，形成金属氧化物层；
经过硅化工艺后，形成材料为金属硅氧化物的电阻可变存储介质层。
9.根据权利要求1所述电阻存储器的制作方法，其特征在于，所述形成电阻可变存储介质层前还包括步骤：在第一互连结构和层间介质层上形成粘附层。
10.一种电阻存储器，包括：半导体衬底，位于半导体衬底上的层间介质层，位于层间介质层内的第一互连结构，位于第一互连结构和层间介质层上的电阻可变存储介质层，位于电阻可变存储介质层上的第二互连结构；其特征在于，所述电阻可变存储介质层的材料为金属硅氧化物。
11.根据权利要求10所述电阻存储器，其特征在于，所述金属硅化物是TixSiyOz、NixSiyOz、CoxSiyOz、WxSiyOz或CuxSiyOz。
12.根据权利要求10所述电阻存储器，其特征在于，还包括位于电阻可变存储介质层与第一互连结构之间的粘附层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
