[发明专利]一种CuxO基电阻型存储器的制备方法

权利要求书

1.一种CuxO基电阻型存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)对铜下电极构图硅化处理生成CuSi化合物缓冲层；

(2)对所述CuSi化合物缓冲层氧化，生成CuxO基存储介质；

(3)在所述CuxO基存储介质上硅化处理；

(4)构图形成上电极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述第(1)步骤之前还包括步骤(a1)：开孔暴露铜下电极。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述第(3)步骤之前还包括步骤(2a)：对CuxO基存储介质进行高温退火处理。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅化处理是在含硅气体中硅化完成的。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅化处理是通过硅等离子体处理完成的。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅化处理是通过硅的离子注入方法完成的。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化是等离子氧化、热氧化、氧离子注入氧化之一。

8.一种CuxO基电阻型存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)提供常规的大马士革铜互连工艺中形成于沟槽中的铜引线作为所述CuxO基电阻型存储器的下电极；

(2)在所述铜引线上方形成第一介质层；

(3)在所述第一介质层中欲形成CuxO基电阻型存储器的位置，制作孔洞；

(4)以第一介质层为掩膜将位于所述孔洞底部的铜引线进行硅化处理，形成CuSi化合物缓冲层；

(5)在所述CuSi化合物缓冲层上进行氧化处理，形成CuxO基存储介质；

(6)在所述CuxO基存储介质上硅化处理；

(7)沉积金属材料形成上电极。

9.根据权利8所述的制备方法，其特征在于，所述上电极形成于CuxO基存储介质和通孔之间。

10.根据权利8所述的制备方法，其特征在于，在步骤(7)之后还包括步骤：(7a)采用光刻和刻蚀的方法将所述上电极图形化。

11.根据权利8所述的制备方法，其特征在于，所述第一介质层为氮化硅盖帽层。

12.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述氧化是等离子氧化、热氧化、氧离子注入氧化之一。

13.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述硅化处理是在含硅气体中硅化完成的。

14.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述硅化处理是通过硅等离子体处理完成的。

15.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述硅化处理是通过硅的离子注入方法完成的。