[发明专利]氧化物缓冲层及其制备方法无效
申请号: | 200910052051.8 | 申请日: | 2009-05-26 |
公开(公告)号: | CN101562065A | 公开(公告)日: | 2009-10-21 |
发明(设计)人: | 范峰;鲁玉明;周文谦;刘志勇;蔡传兵 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | H01B12/04 | 分类号: | H01B12/04;H01B13/00;C23C14/34 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 顾勇华 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化物 缓冲 及其 制备 方法 | ||
1.一种氧化物缓冲层,其特征在于该缓冲层的化学式为YxCe1-xO2-0.5x,其中,0.2≤x≤0.8。
2.一种权利要求1所述的氧化物缓冲层的制备方法,其特征在于该方法具有以下的步骤:
a.金属靶材的制备:选取纯度重量百分比在99.999%以上的钇、铈金属粉料为原料,按照化学式YxCe1-xO2-0.5x,0.2≤x≤0.8,配比钇、铈元素的原子个数,通过拼接、镶嵌方法制得具有区域组份性质的金属靶材;
b.金属基底的清洗和固定:依序通过丙酮溶液、酒精溶液对金属基底进行超声波清洗,以除去粘附在金属基底表面的油污;将洗净的金属基底固定在直流反应溅射腔体内;
c.气路清洗:对直流反应溅射腔体的气路进行清洗,以出去气路中残留的气体和混入的空气;
d.直流反应溅射腔体的气压调制:对直流反应溅射腔体抽真空,直至背底真空达到10-5Pa或以下;通入体积比为Ar∶H2=19∶1的混合气体,氩气和氢气的纯度体积百分比均在99.999%以上,直至直流反应溅射腔体压强达到1~10Pa;
e.预溅射:将直流反应溅射腔体升温至850℃,打开直流溅射电源进行预溅射,调整功率至50~250W,进行预溅射,时间20~120min;
f.正式溅射:打开水汽气路,调节水分压至5×10-3~5×10-2Pa,正式溅射,最终得到YxCe1-xO2-0.5x氧化物缓冲层。
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