[发明专利]减少晶片处理过程中电弧产生的方法

权利要求书

1.一种减少晶片处理过程中电弧产生的方法，包括：

取晶片，利用机械手将该晶片置于反应室的加热盘上，其中该晶片半径大于所述加热盘半径；

在晶片表面沉积与晶片颜色不同的薄膜；

测量晶片置于加热盘的一面上至少四个径向方向上所沉积的薄膜的宽度，其中所述四个径向方向依次成90度；

利用成180度的径向方向上的薄膜宽度之差控制所述机械手的运动。

2.根据权利要求1所述的减少晶片处理过程中电弧产生的方法，其特征是，其中所述四个径向方向包括：12点钟方向、3点钟方向、6点钟方向与9点钟方向，且

利用12点钟方向与6点钟方向上薄膜宽度之差控制所述机械手的伸缩；

利用3点钟方向与9点钟方向上薄膜宽度之差控制所述机械手的旋转。

3.根据权利要求1所述的减少晶片处理过程中电弧产生的方法，其特征是，所述薄膜为铝薄膜。

4.根据权利要求3所述的减少晶片处理过程中电弧产生的方法，其特征是，在高温条件下，所沉积铝薄膜的厚度不小于2千埃。

5.根据权利要求3所述的减少晶片处理过程中电弧产生的方法，其特征是，在室温条件下，所沉积铝薄膜的厚度不小于5千埃。

6.根据权利要求1所述的减少晶片处理过程中电弧产生的方法，其特征是，所述薄膜为钨薄膜。

7.根据权利要求6所述的减少晶片处理过程中电弧产生的方法，其特征是，所述钨薄膜的厚度不小于3千埃。