[发明专利]半导体器件制作方法及系统无效
申请号: | 200910052537.1 | 申请日: | 2009-06-04 |
公开(公告)号: | CN101908482A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | 宋化龙;史运泽;李亮;沈忆华 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/316 | 分类号: | H01L21/316;H01L21/3105;H01L21/8247;H01L21/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 20120*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 制作方法 系统 | ||
1.一种半导体器件制作方法,所述半导体器件包括高温氧化膜膜层,其特征在于,包括:
在基体上沉积高温氧化膜膜层;
对高温氧化膜膜层进行退火处理,该退火处理的反应物为氢气和氧气,或者为氢气与N2O。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,采用低温化学气相沉积通过二氯硅烷或硅烷与N2O反应,沉积所述高温氧化膜膜层。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述沉积高温氧化膜膜层的反应压强低于10托尔,反应温度为700摄氏度~800摄氏度。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述退火处理中,在反应物为氢气与氧气时,氢气与氧气的比率低于35%;以及
在反应物为氢气与氧化氮时,氢气与氧化氮的比率低于35%。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述退火处理中,反应压强范围为0.1托尔~20托尔。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述退火处理中,反应温度范围为900摄氏度~1100摄氏度。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述高温氧化膜用作氧化物-氮化物-氧化物绝缘结构。
8.如权利要求1~7中任一项权利要求所述的方法,其特征在于,所述半导体器件为闪存。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述高温氧化膜用作隧穿氧化层。
10.一种半导体器件制作系统,所述半导体器件包括高温氧化膜,其特征在于,所述系统包括:
高温氧化膜制作单元,用于在基体上沉积高温氧化膜膜层;
退火处理单元,用于对高温氧化膜制作单元制作的高温氧化膜膜层进行退火处理,该退火处理的反应物为氢气和氧气,或者为氢气与氧化氮。
11.如权利要求10所述的系统,其特征在于,所述退火处理中,在反应物为氢气与氧气时,氢气与氧气的比率低于35%;以及
在反应物为氢气与氧化氮时,氢气与氧化氮的比率低于35%。
12.如权利要求10所述的系统,其特征在于,所述退火处理中,反应压强范围为0.1托尔~20托尔。
13.如权利要求10所述的系统,其特征在于,所述退火处理中,反应温度范围为900摄氏度~1100摄氏度。
14.如权利要求10所述的系统,其特征在于,所述高温氧化膜用作氧化物-氮化物-氧化物绝缘结构。
15.如权利要求10~14中任一项权利要求所述的系统,其特征在于,所述半导体器件为闪存。
16.如权利要求15所述的系统,其特征在于,所述高温氧化膜用作隧穿氧化层。
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