[发明专利]淀积金属的方法无效
| 申请号： | 200910052538.6 | 申请日： | 2009-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101567316A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 潘骏翊;李全宝;周磊 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/321 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种淀积金属的方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一硅衬底；
在所述硅衬底上依次淀积第一粘附层、第一阻挡层及金属层；
使所述硅衬底离开真空的制程环境，在所述金属层上形成一层氧化层；
在所述金属层上依次淀积第二粘附层和第二阻挡层；
对所述硅衬底进行清洗。
2.根据权利要求1所述的淀积金属的方法，其特征在于，
所述粘附层为钛层；
所述阻挡层为氮化钛层；
所述金属层为铝层。
3.根据权利要求1所述的淀积金属的方法，其特征在于，在200℃的条件下在所述硅衬底上淀积所述第一粘附层。
4.根据权利要求1所述的淀积金属的方法，其特征在于，在室温条件下，在所述第一粘附层上淀积所述第一阻挡层。
5.根据权利要求1所述的淀积金属的方法，其特征在于，在270℃的条件下，在所述第一阻挡层上淀积所述金属层。
6.根据权利要求1所述的淀积金属的方法，其特征在于，在室温条件下，在所述金属层上依次淀积第二粘附层和第二阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
