[发明专利]芯片失效的数据分类分析方法及其装置

说明书

技术领域

本发明涉及数据分类分析的方法及其装置，具体地说，涉及一种芯片失效的数据分类分析方法及其装置。

背景技术

在晶圆上完成芯片制造之后，需要对晶圆上的芯片进行一系列如可用性、质量和可靠性等的测试，这些测试结果得出的数据通常称为晶圆分类(WS：wafer sort)数据，通过对这些数据进行分析，得出每一颗芯片是否失效，分析结果得出的数据称为探针测试(CP：circuit probe)数据，从这些WS或者CP数据上，测试人员难以得出芯片失效机理的信息。

为了获取芯片失效机理的信息，需要找到失效的芯片上每一个位(bit)的位置，对于存储类的芯片来说，由于存储类芯片在版图的时候都以阵列形式进行版图并在硅片上形成，因此可以通过软件如MOSAID来获得存储单元中失效位的具体位置。

传统的方法是人工用肉眼对获取的失效位进行统计，并制成图表，分类分析，从而找到其失效的机理，这种方法随着存储器的容量增大而变得难以实现。

如今存储产品的存储容量需求日益增高，制造存储器的存储量随着市场的需求而日益增大，市场需要一种自动分类方法的软件，目前的市场主要有BitPower和Abacus，其缺陷在于：无法分析容量超过2GB以上的存储器产品，而且处理速度也比较慢。

发明内容

本发明提供一种芯片失效的数据分类分析方法及其装置，分析大容量的存储产品，提高数据处理速度。

为解决上述问题，本发明提供了一种芯片失效的数据分类分析方法及其装置，其分析方法为：

确定芯片尺寸和类型；

确定芯片失效模式；

对芯片进行扫描，将芯片中失效位的信息作为原始数据，存储在数据库中；

将原始数据转换成格式统一的标准数据；

对所述标准数据进行分析，根据芯片失效模式的类型进行分类；

显示分类结果。

进一步的，所述芯片失效模式包括：块型的失效模式、交叉型失效模式、线型失效模式以及点型失效模式。

进一步的，所述块型的失效模式为：芯片上失效位在水平方向和竖直方向形成的长度和宽度组成的失效面积、最小面积块以及最大面积块。

进一步的，交叉型的失效模式为：芯片上失效位在水平方向和竖直方向分别形成的长度和宽度。

进一步的，点型失效模式为：芯片上失效位的数值范围以及失效位在水平方向和竖直方向的偏移量。

进一步的，线型失效模式设为：芯片上失效位在水平方向或者竖直方向形成的长度和宽度。

进一步的，对所述标准数据进行分析的顺序依次为：块型失效模式分析、交叉型失效模式分析、线型失效模式分析及点型失效模式分析。

进一步的，对所述标准数据进行分析并分类的步骤具体包括：

将芯片平面进行横向和纵向方向的划分；

分别在横向和纵向上进行一维聚类算法分析；

将横向和纵向的一维聚类算法分析合并；

根据芯片失效模式的类型将分析结果分类。

本发明还提供了一种芯片失效的数据分类分析装置，该装置包括：

确定处理单元，用于确定芯片尺寸和类型；

失效模式处理单元，用于确定芯片失效模式；

输入单元，用于导入原始数据；

数据转换单元，用于将扫描芯片获得失效位的原始数据格式转换成统一的标准数据格式；

分类处理单元，用于对所述标准数据进行分析并分类；

显示单元，用于显示分类结果。

进一步的，所述失效模式处理单元具体包括：

块型分析子单元，用于确定块型的失效模式；

交叉分析子单元，用于确定交叉型失效模式；

线型分析子单元，用于确定线型失效模式；

点分析子单元，用于确定点型失效模式。

与现有的技术相比，本发明提供的芯片失效的数据分类分析方法及其装置通过确定芯片尺寸和类型；确定芯片失效模式，然后采用一维聚类算法分别将横向和纵向的失效位统计出来，再将其合并，从而大大减少统计的运算量，提高处数据理速度，并对统计的失效位进行分类和分析，提高系统的性能，从而能应用于分析具有大容量的存储产品。

附图说明

图1为本发明实施例的芯片失效分析方法流程图；

图2为本发明实施例的对标准数据进行分析流程图；

图3为本发明实施例的装置实施例框图；

图4为本发明实施例的失效模式处理单元框图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明的芯片失效的数据分类分析方法及其装置作进一步详细的描述。